Modelado no lineal de los capacitores intrínsecos Cgs y Cgd de los transistores de efecto de campo de tecnología GaN
Las tecnologías más prometedoras en el desarrollo de las telecomunicacionesson aquellas basadas en materiales de banda prohibida ancha, tales como lossemiconductores de nitruro de galio (GaN) y sus aleaciones (AlGaN, InGaN), loscuales han surgido a lo largo de la última década como dispositivos apli...
| Autor: | |
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| Formato: | tesis de maestría |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2010 |
| País: | México |
| Recursos: | Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada |
| Repositorio: | Repositorio Institucional CICESE |
| Idioma: | español |
| OAI Identifier: | oai:cicese.repositorioinstitucional.mx:1007/213 |
| Acesso em linha: | http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/213 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palavra-chave: | info:eu-repo/classification/Autor/Interfaz de datos distribuidos por fibra óptica (Estándares de redes de computadoras) info:eu-repo/classification/cti/7 info:eu-repo/classification/cti/33 info:eu-repo/classification/cti/3325 |
| Resumo: | Las tecnologías más prometedoras en el desarrollo de las telecomunicacionesson aquellas basadas en materiales de banda prohibida ancha, tales como lossemiconductores de nitruro de galio (GaN) y sus aleaciones (AlGaN, InGaN), loscuales han surgido a lo largo de la última década como dispositivos aplicables entransistores FET para requerimientos de alta potencia y alta temperatura.Los modelos del transistor nos ayudan a predecir el comportamiento de estosdispositivos bajo diferentes condiciones de operación. Los transistores FET pueden sermodelados por medio de una representación llamada circuito eléctrico equivalente, elcual nos permite asociar a cada región del transistor, un elemento que compone elcircuito eléctrico equivalente.El comportamiento de transistores HEMT de AlGaN/GaN operando con altosniveles de potencia de entrada, puede ser confiablemente modelado por medio delmodelo no lineal, el cual es extraído a partir de mediciones de parámetros S ymediciones pulsadas de I-V. El elemento que presenta la mayor no linealidad es lafuente de corriente Ids, y las capacitancias Cgs y Cgd del transistor intrínseco.Las capacitancias intrínsecas Cgs y Cgd pueden presentar efectos importantesque afectan el rendimiento del transistor, por lo que se propone un nuevo modelo parapredecir su comportamiento en régimen no lineal para dispositivos basados en GaN. Setrata de un modelo empírico basado en expresiones analíticas obtenidas a partir dedatos medidos de transistores HEMT de GaN. |
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