Caracterización Óptica de Películas Cuaternarias de GaInAsSb por Fotoluminiscencia
En este trabajo se presenta la caracterización óptica de películas y heterouniones de aleaciones semiconductoras de GaInAsSb, crecidas epitaxialmente sobre sustratos de GaSb por medio de las técnicas de Fotoluminiscencia y Fotorreflectancia. Estas técnicas de carácter no destructivo nos permiten con...
| Authors: | , , |
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| Format: | article |
| Status: | Published version |
| Publication Date: | 2009 |
| Country: | México |
| Institution: | Instituto Politécnico Nacional |
| Repository: | Repositorio Digital del IPN |
| OAI Identifier: | oai:www.repositoriodigital.ipn.mx:123456789/11532 |
| Online Access: | http://hdl.handle.net/123456789/1088 http://www.repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/11532 |
| Access Level: | Open access |
| Keyword: | fotoluminiscencia |
| Summary: | En este trabajo se presenta la caracterización óptica de películas y heterouniones de aleaciones semiconductoras de GaInAsSb, crecidas epitaxialmente sobre sustratos de GaSb por medio de las técnicas de Fotoluminiscencia y Fotorreflectancia. Estas técnicas de carácter no destructivo nos permiten conocer las posibles recombinaciones radiativas existentes en la película, además nos permite determinar le energía de banda prohibida y los niveles de impurezas de películas y sustratos semiconductores. |
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