Caracterización Óptica de Películas Cuaternarias de GaInAsSb por Fotoluminiscencia
En este trabajo se presenta la caracterización óptica de películas y heterouniones de aleaciones semiconductoras de GaInAsSb, crecidas epitaxialmente sobre sustratos de GaSb por medio de las técnicas de Fotoluminiscencia y Fotorreflectancia. Estas técnicas de carácter no destructivo nos permiten con...
| Autores: | , , |
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| Tipo de recurso: | artículo |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2009 |
| País: | México |
| Institución: | Instituto Politécnico Nacional |
| Repositorio: | Repositorio Digital del IPN |
| OAI Identifier: | oai:www.repositoriodigital.ipn.mx:123456789/11532 |
| Acceso en línea: | http://hdl.handle.net/123456789/1088 http://www.repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/11532 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | fotoluminiscencia |
| Sumario: | En este trabajo se presenta la caracterización óptica de películas y heterouniones de aleaciones semiconductoras de GaInAsSb, crecidas epitaxialmente sobre sustratos de GaSb por medio de las técnicas de Fotoluminiscencia y Fotorreflectancia. Estas técnicas de carácter no destructivo nos permiten conocer las posibles recombinaciones radiativas existentes en la película, además nos permite determinar le energía de banda prohibida y los niveles de impurezas de películas y sustratos semiconductores. |
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