CRECIMIENTO Y CARACTERIZACIÓN DE NANOESTRUCTURAS DE INxGA1-xN DEPOSITADAS POR CVD Y MOCVD SOBRE SUBSTRATOS DE SI Y AU/SIO2

El crecimiento de los nitruros del grupo III (InN-GaN-AlN) es un factor importante en el desarrollo de dispositivos optoelectrónicos. La investigación sobre el efecto de los substratos en los depósitos de nanoestructuras y microestructuras de estos nitruros se ha convertido en un tema de investigaci...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autor: ANTONIO RAMOS CARRAZCO
Tipo de recurso: tesis doctoral
Estado:Versión publicada
Fecha de publicación:2015
País:México
Institución:Centro de Investigación en Materiales Avanzados
Repositorio:Fuente de Objetos Científicos Open Access del CIMAV
OAI Identifier:oai:cimav.repositorioinstitucional.mx:1004/15
Acceso en línea:http://cimav.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1004/15
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