CRECIMIENTO Y CARACTERIZACIÓN DE NANOESTRUCTURAS DE INxGA1-xN DEPOSITADAS POR CVD Y MOCVD SOBRE SUBSTRATOS DE SI Y AU/SIO2
El crecimiento de los nitruros del grupo III (InN-GaN-AlN) es un factor importante en el desarrollo de dispositivos optoelectrónicos. La investigación sobre el efecto de los substratos en los depósitos de nanoestructuras y microestructuras de estos nitruros se ha convertido en un tema de investigaci...
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| Tipo de recurso: | tesis doctoral |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2015 |
| País: | México |
| Institución: | Centro de Investigación en Materiales Avanzados |
| Repositorio: | Fuente de Objetos Científicos Open Access del CIMAV |
| OAI Identifier: | oai:cimav.repositorioinstitucional.mx:1004/15 |
| Acceso en línea: | http://cimav.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1004/15 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | info:eu-repo/classification/cti/2 info:eu-repo/classification/cti/23 |
| Sumario: | El crecimiento de los nitruros del grupo III (InN-GaN-AlN) es un factor importante en el desarrollo de dispositivos optoelectrónicos. La investigación sobre el efecto de los substratos en los depósitos de nanoestructuras y microestructuras de estos nitruros se ha convertido en un tema de investigación actual. En este proyecto de investigación se reporta el efecto de los substratos de silicio y dióxido de silicio cubierto con una capa de oro sobre el crecimiento del nitruro de galio-indio usando los métodos de depósito por vapor químico y de depósito por vapor químico organometálico. Las propiedades de estructura cristalina, superficie y emisión del InGaN son estudiadas utilizando las técnicas de caracterización de difracción de rayos X, microscopia electrónica, termoluminiscencia y catodoluminiscencia. |
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