Investigación de la fotoconductividad del cristal Yb: YAG
Se presenta la investigación de signo del foto-portador y la dinámica de excitación en cristales de Yb: YAG mediante una técnica de fuerza foto-electromotriz de estado no estacionario. En cristales de recocido con 25% y 50% de concentración de dopaje de Yb, se observa la conductividad de huecos; mie...
| Autor: | |
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| Formato: | tesis de maestría |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2015 |
| País: | México |
| Recursos: | Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica |
| Repositorio: | Repositorio Institucional del INAOE |
| Idioma: | español |
| OAI Identifier: | oai:inaoe.repositorioinstitucional.mx:1009/82 |
| Acesso em linha: | http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/82 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palavra-chave: | info:eu-repo/classification/Fotoconductividad/Photoconductivity info:eu-repo/classification/Fuerza electromotriz/Electromotive force info:eu-repo/classification/Yb:YAG/Yb:YAG info:eu-repo/classification/cti/1 info:eu-repo/classification/cti/22 info:eu-repo/classification/cti/2209 |
| Resumo: | Se presenta la investigación de signo del foto-portador y la dinámica de excitación en cristales de Yb: YAG mediante una técnica de fuerza foto-electromotriz de estado no estacionario. En cristales de recocido con 25% y 50% de concentración de dopaje de Yb, se observa la conductividad de huecos; mientras que en muestras con 80% de Yb una conductividad electrónica es evidenciada. En las muestras no tratadas especialmente, se encuentran ambas contribuciones de huecos y de electrones. En todos los casos, se observa un tiempo de relajación característico de aproximadamente 1ms, que corresponde al tiempo de vida de Yb3+ |
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