Diseño y construcción de un oscilador de microondas estabilizado con resonador dieléctrico en banda Ku.

En este trabajo se analiza la función que desempeña el oscilador local de frecuencia fija de un sistema de conversión en bloque en una estación terrena receptora de televisión vía satélite operando en banda Ku. También se analizan los efectos de dispersión y discontinuidades presentes en los circuit...

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Detalhes bibliográficos
Autor: Pedro Antonio Palmer Vidal
Tipo de documento: dissertação
Estado:Versão publicada
Data de publicação:1987
País:México
Recursos:Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada
Repositório:Repositorio Institucional CICESE
Idioma:espanhol
OAI Identifier:oai:cicese.repositorioinstitucional.mx:1007/3146
Acesso em linha:http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/3146
Access Level:Acceso aberto
Palavra-chave:info:eu-repo/classification/Autor/Telefonía sobre Internet
info:eu-repo/classification/cti/7
info:eu-repo/classification/cti/33
info:eu-repo/classification/cti/3325
Descrição
Resumo:En este trabajo se analiza la función que desempeña el oscilador local de frecuencia fija de un sistema de conversión en bloque en una estación terrena receptora de televisión vía satélite operando en banda Ku. También se analizan los efectos de dispersión y discontinuidades presentes en los circuitos de microcinta a estas frecuencias, así como las ventajas que introduce utilizar resonadores dieléctricos como elemento estabilizador de frecuencia en osciladores con dispositivos de estado sólido. Se describe una metodología para el diseño de osciladores utilizando transistores bipolares y/o transistores de efecto de campo metal semiconductor fabricados en arseniuro de galio (GaAs MESFET). La metodología permite diseñar los mencionados osciladores por medio de pequeños programas de computadora con gran rapidez en un intervalo de frecuencia de operación de 2 a 18 GHz. El prototipo que se construyó bajo esta técnica de diseño generó resultados satisfactorios respecto a los requisitos preestablecidos, obteniéndose 11.0 dBm de potencia en 10.8 Gigahertz, con un ruido de fase de-100 dBe @ 100 KHz. La frecuencia de operación mediante sintonización mecánica puede ajustarse en± 5 % y el voltaje de suministro de 8 a 24 Volts de corriente directa.