Diseño de un amplificador de bajo ruido en tecnología de circuitos integrados monolíticos de microondas para comunicaciones vía satélite banda Ku (11.7-12.2 GHz).
En este trabajo se presentan la metodología y los procedimientos asistidos por computadora que permiten diseñar satisfactoriamente un amplificador de bajo ruido en tecnología de circuitos integrados monolíticos de microondas MMIC (Monolithics Microwaves Integrated Circuits), con las características...
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| Formato: | tesis de maestría |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 1996 |
| País: | México |
| Recursos: | Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada |
| Repositorio: | Repositorio Institucional CICESE |
| Idioma: | español |
| OAI Identifier: | oai:cicese.repositorioinstitucional.mx:1007/3873 |
| Acesso em linha: | http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/3873 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palavra-chave: | info:eu-repo/classification/cti/7 info:eu-repo/classification/cti/33 info:eu-repo/classification/cti/3325 info:eu-repo/classification/cti/332506 |
| Resumo: | En este trabajo se presentan la metodología y los procedimientos asistidos por computadora que permiten diseñar satisfactoriamente un amplificador de bajo ruido en tecnología de circuitos integrados monolíticos de microondas MMIC (Monolithics Microwaves Integrated Circuits), con las características adecuadas para recibir señales de satélite en la banda de frecuencias de 11.7 a 12.2 GHz (banda Ku). En el diseño se emplea la técnica de síntesis de redes pasivas con elementos concentrados para obtener las redes de acoplamiento. con los resultados de la simulación del circuito esquemático final, se verifica la eficacia de la metodología propuesta en el diseño del amplificador lográndose un buen circuito inicial para la conversación a elementos físicos por medio de los modelos correspondientes al proceso de una fundidora de circuitos monolíticos. El amplificador diseñado consta de tres etapas de amplificación con las cuales se logra una ganancia de 29 dB, una figura de ruido de 2 dB, una relación de onda estacionaria de voltaje (ROEV) a la entrada de 2.1 y a la salida de 1.38, en la banda de interés. Los modelos para los elementos circuitales del amplificador se toman del conjunto de elementos disponibles en el proceso de fundidora D02AH de Philips (Francia) que incluye como dispositivo activo a un transistor PHEMT con longitud de compuerta de 0.2 µm. El diseño concluye satisfactoriamente con la definición de una distribución física optimizada, obteniéndose finalmente un amplificador con dimensiones físicas de 1.6 x 1.1 mm2. La información de la distribución física final se almacena en un archivo con formato GDS-II que es el adecuado para su verificación en la fundidora y posible fabricación. |
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