Modelado comportamental de dispositivos basados en Ag/TiO2/ITO con efecto memristivo
Se presenta el desarrollo de una metodología de modelado memristivo para dispositivos basados en películas delgadas de dióxido de titanio (TiO2) depositadas sobre óxido de estaño e indio (ITO) y utilizando contactos de plata (Ag). Para probar su efectividad, esta metodología ha sido aplicada para ob...
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| Tipo de recurso: | tesis de maestría |
| Estado: | Versión aceptada para publicación |
| Fecha de publicación: | 2017 |
| País: | México |
| Institución: | Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica |
| Repositorio: | Repositorio Institucional del INAOE |
| Idioma: | español |
| OAI Identifier: | oai:inaoe.repositorioinstitucional.mx:1009/334 |
| Acceso en línea: | http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/334 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | info:eu-repo/classification/Memristor/Memristor info:eu-repo/classification/Modelado del memristor/Modeling the memristor info:eu-repo/classification/Conmutación resistiva/Resistive switching info:eu-repo/classification/cti/1 info:eu-repo/classification/cti/22 info:eu-repo/classification/cti/2203 |
| Sumario: | Se presenta el desarrollo de una metodología de modelado memristivo para dispositivos basados en películas delgadas de dióxido de titanio (TiO2) depositadas sobre óxido de estaño e indio (ITO) y utilizando contactos de plata (Ag). Para probar su efectividad, esta metodología ha sido aplicada para obtener expresiones analíticas para las variables eléctricas —resistencia y corriente— en dispositivos cuyo espesor de película de TiO2 es de 100 nm y 50 nm. El resultado es una función definida a trozos, cuyas expresiones están basadas en un polinomio de grado variable, elegido en función de la reducción del error cuadrático medio normalizado. La comparación entre los datos experimentales y las funciones analíticas propuestas muestran una similitud de, al menos, 88% para la resistencia en función del tiempo y mayor a 95% para la corriente en el tiempo. |
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