20 pages. -- PDF file includes S1. Substrate fabrication and growth details; S2. Degradation of surface topography after thermal oxide removal prior nanowire growth; S3. Faceting of GaAs(Sb) vs GaAs nanowires; S4. The role of InGaAs growth temperature; S5. The role of InAs growth temperature; S6. In...
Detalles Bibliográficos
| Autores: |
Beznasyuk, Daria V.,
Martí-Sànchez, Sara,
Kang, Jung-Hyun,
Tanta, Rawa,
Rajpalke, Mohana,
Stankevič, Tomaš,
Wulff, Anna Christensen,
Spadaro, Maria Chiara,
Bergamaschini, Roberto,
Maka, Nikhil N.,
Petersen, Christian Emanuel N.,
Carrad, Damon J.,
Jespersen, Thomas Sand,
Arbiol, Jordi,
Krogstrup, Peter |
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| Tipo de recurso: | conjunto de datos
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| Fecha de publicación: | 2022 |
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| País: | España |
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| Institución: | Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC) |
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| Repositorio: | DIGITAL.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC |
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| OAI Identifier: | oai:digital.csic.es:10261/329972 |
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| Acceso en línea: | http://hdl.handle.net/10261/329972
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| Access Level: | acceso abierto |
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