Influence of an ultrathin GaAs interlayer on the structural properties of InAs/InGaAsP/InP (100) quantum dots investigated by cross-sectional scanning tunneling microscopy

Detalles Bibliográficos
Autores: Ulloa Herrero, José María|||0000-0002-5679-372X, Anantahanasarn, S., Van Veldhoven, P.J, Koenraad, P.M., Nötzel, R.
Tipo de recurso: artículo
Fecha de publicación:2008
País:España
Institución:Universidad Politécnica de Madrid
Repositorio:Archivo Digital UPM
OAI Identifier:oai:oa.upm.es:2718
Acceso en línea:https://oa.upm.es/2718/
Access Level:acceso abierto
Descripción
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