Crecimiento de heteroestructuras de (GaIn)(AsPN) por epitaxia de haces químicos
Tesis doctoral inédita. Universidad Autónoma de Madrid, Facultad de Ciencias, Departamento de Física Aplicada. Fecha de lectura: 06-09-2011
| Autor: | |
|---|---|
| Tipo de documento: | tese |
| Data de publicação: | 2011 |
| País: | España |
| Recursos: | Universidad Autónoma de Madrid |
| Repositório: | Biblos-e Archivo. Repositorio Institucional de la UAM |
| Idioma: | espanhol |
| OAI Identifier: | oai:repositorio.uam.es:10486/9312 |
| Acesso em linha: | http://hdl.handle.net/10486/9312 |
| Access Level: | Acceso aberto |
| Palavra-chave: | Epitaxia de haces moleculares - Tesis doctorales Semiconductores - Tesis doctorales |
| Resumo: | Tesis doctoral inédita. Universidad Autónoma de Madrid, Facultad de Ciencias, Departamento de Física Aplicada. Fecha de lectura: 06-09-2011 |
|---|