Caracterización in situ de la morfología y los procesos de relajación durante el crecimiento mediante epitaxia por haces moleculares de heteroestructuras de semiconductores III-V
200 páginas, 55 figuras, 4 tablas.-- Tesis para optar al grado de Doctora en Ciencias Físicas presentada el 11-11-2002 por María Ujué González Sagardoy.
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| Tipo de recurso: | tesis doctoral |
| Fecha de publicación: | 2004 |
| País: | España |
| Institución: | Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC) |
| Repositorio: | DIGITAL.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC |
| OAI Identifier: | oai:digital.csic.es:10261/13116 |
| Acceso en línea: | http://hdl.handle.net/10261/13116 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Epitaxia de haces moleculares Semiconductores Procesos de relajación Dispersión de luz Hilos cuánticos |
| Sumario: | 200 páginas, 55 figuras, 4 tablas.-- Tesis para optar al grado de Doctora en Ciencias Físicas presentada el 11-11-2002 por María Ujué González Sagardoy. |
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