Luminescence from two-dimensional electron gases in InAlN/GaN heterostructures with different In content

Detalles Bibliográficos
Autores:	Romero Rojo, Fátima\|\|\|0000-0002-3940-8009, Feneberg, Martin, Moser, Pascal, Berger, Christoph, Bläsing, Jürgen, Dadgar, Armin, Krost, Alois, Sakalauskas, Egidijus, Goldhahn, Rüdige
Tipo de recurso:	artículo
Fecha de publicación:	2012
País:	España
Institución:	Universidad Politécnica de Madrid
Repositorio:	Archivo Digital UPM
OAI Identifier:	oai:oa.upm.es:16347
Acceso en línea:	https://oa.upm.es/16347/
Access Level:	acceso abierto
Palabra clave:	aluminium compounds electron-hole recombination excitons gallium compounds III-V semiconductors indium compounds photoluminescence semiconductor heterojunctions two-dimensional electron gas wide band gap semiconductors

Descripción
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