Lattice pulling effect and strain relaxation in axial (In, Ga)N/GaN nanowire heterostructures grown on GaN-buffered Si(111) substrate

Detalles Bibliográficos
Autores:	Kong, Xiang, Albert, Steven, Bengoechea Encabo, Ana, Sánchez García, Miguel Angel\|\|\|0000-0002-1494-9351, Calleja Pardo, Enrique\|\|\|0000-0002-3686-8982, Calle Gómez, Fernando\|\|\|0000-0001-7869-6704, Trampert, Achim
Tipo de recurso:	artículo
Fecha de publicación:	2015
País:	España
Institución:	Universidad Politécnica de Madrid
Repositorio:	Archivo Digital UPM
OAI Identifier:	oai:oa.upm.es:40867
Acceso en línea:	https://oa.upm.es/40867/
Access Level:	acceso abierto
Palabra clave:	Axial (In Ga)N/GaN nanowire lattice pulling effect plastic strain relaxation transmission electron microscopy

Descripción
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