Quantum transport in chemically functionalized graphene at high magnetic field: defect-induced critical states and breakdown of electron-hole symmetry

arXiv:1405.3766v1

Detalles Bibliográficos
Autores: Leconte, Nicolás, Ortmann, F., Cresti, A., Charlier, Jean-Christopher, Roche, Stephan
Tipo de recurso: artículo
Estado:Versión enviada para evaluación y publicación
Fecha de publicación:2014
País:España
Institución:Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC)
Repositorio:DIGITAL.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC
OAI Identifier:oai:digital.csic.es:10261/127167
Acceso en línea:http://hdl.handle.net/10261/127167
Access Level:acceso abierto
Palabra clave:Quantum hHall effect
Localization
Critical states
Functionalization
Oxygen
Graphene
Descripción
Sumario:arXiv:1405.3766v1

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