ZnO/PbS quantum dot photovoltaics for heterojunction and bulk nano-heterojunction architectures

[ANGLÈS] Recent work based on photovoltaic heterojunction devices consisting of n-type ZnO and p-type PbS is developed. We demonstrate that the PbS/metal electrode interface does not necessarily form a Shottky barrier which is confirmed by a device ideality factor of 1.85 ? consistent with a single...

ver descrição completa

Detalhes bibliográficos
Autor: Chouhan, Ariana
Formato: tesis de maestría
Fecha de publicación:2012
País:España
Recursos:Universitat Politècnica de Catalunya (UPC)
Repositorio:UPCommons. Portal del coneixement obert de la UPC
Idioma:inglés
OAI Identifier:oai:upcommons.upc.edu:2099.1/16192
Acesso em linha:https://hdl.handle.net/2099.1/16192
Access Level:acceso abierto
Palavra-chave:Nanoparticles
Solar cells
Quantum dots
Semiconductor nanocrystals
quantum dot photovoltaics
heterojunction
ZnO
PbS
heterouniones
fotovoltaicas
nanocristalinos
nanoestructures -- propietats òptiques
Nanopartícules
Cèl·lules solars
Punts quàntics
Nanocristalls semiconductors
Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació::Telecomunicació òptica::Fotònica
id ES_ca8ff45f8a24d97ff12d07ba5913ab25
oai_identifier_str oai:upcommons.upc.edu:2099.1/16192
network_acronym_str ES
network_name_str España
repository_id_str
spelling ZnO/PbS quantum dot photovoltaics for heterojunction and bulk nano-heterojunction architecturesZnO/PbS quantum dot heterojunction photovoltaicsHeterouniones fotovoltaicas de ZnO/PbS nanocristalinosHeterojuncions fotovoltaiques de ZnO/PbS nanocristal·linsChouhan, ArianaNanoparticlesSolar cellsQuantum dotsSemiconductor nanocrystalsquantum dot photovoltaicsheterojunctionZnOPbSheterounionesfotovoltaicasnanocristalinosnanoestructures -- propietats òptiquesNanopartículesCèl·lules solarsPunts quànticsNanocristalls semiconductorsÀrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació::Telecomunicació òptica::Fotònica[ANGLÈS] Recent work based on photovoltaic heterojunction devices consisting of n-type ZnO and p-type PbS is developed. We demonstrate that the PbS/metal electrode interface does not necessarily form a Shottky barrier which is confirmed by a device ideality factor of 1.85 ? consistent with a single diode model. We believe planar heterojunction architectures impose an efficiency limit based on the low contact area between interfacial layers and have thus developed recent work that introduced the bulk nano-heterojunction ? a facile method for mixing p and n type colloidal quantum dots together in solution. Devices are based on n-type ZnO and p-type PbS which exhibit open circuit voltages as high as 0.76 V.[CASTELLÀ] Este trabajo de investigación está centrado en la mejora de los celdas solares basadas en heterouniones entre láminas delgadas a partir de nanocristales de ZnO (tipo n) y PbS (tipo p). Los factores de idealidad obtenidos a partir de la caracterización eléctrica de los dispositivos (1,85) indican que el film de PbS coloidal no forma necesariamente un contacto tipo Shottky con el electrodo metálico, en acuerdo con el modelo de diodo único. El diseño actual de este tipo de heterouniones planas impone un límite en la eficiencia de los dispositivos y por ello en el presente trabajo proponemos el uso de heterouniones en volumen. Este tipo de uniones se fabrican fácilmente a partir de mezclas de nanocristales de ZnO y PbS en disolución. Los dispositivos fabricados con este tipo de heterounión exhiben voltajes en circuito abierto de hasta 0,76 V.[CATALÀ] Estudis recents basats en dispositius fotovoltaics d'heterojuncions que consisteixen en ZnO de tipus n i PbS de tipus p. Hem demostrat que la interfície entre el PbS i l'electrode de metall no forma necessàriament una barrera Shottky. Això és confirmat per un dispositiu d'un factor idealment de 1,85, consistent amb el model d'un díode simple. Creiem que les arquitectures planars imposen una limitació en l'eficiència basada en la poca àrea de contacte entre les capes interficials. El disseny actual d'aquest tipus d'heterojuncions planes imposa un límit a l'eficiència dels dispositius i per això en el present treball proposem l'ús d'heterojuncions en volum. Dispositius basats en ZnO de tipus n i PbS de tipus p mostren uns voltatges de circuit obert de 0,76 V.Universitat Politècnica de CatalunyaStavrinadis, AlexandrosKonstantatos, Gerasimos20122012-09-0620122012-10-08master thesishttp://purl.org/coar/resource_type/c_bdccNAhttp://purl.org/coar/version/c_be7fb7dd8ff6fe43info:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdfhttps://hdl.handle.net/2099.1/16192reponame:UPCommons. Portal del coneixement obert de la UPCinstname:Universitat Politècnica de Catalunya (UPC)Inglésengopen accesshttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Spainhttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/info:eu-repo/semantics/openAccessoai:upcommons.upc.edu:2099.1/161922026-05-27T15:37:01Z
dc.title.none.fl_str_mv ZnO/PbS quantum dot photovoltaics for heterojunction and bulk nano-heterojunction architectures
ZnO/PbS quantum dot heterojunction photovoltaics
Heterouniones fotovoltaicas de ZnO/PbS nanocristalinos
Heterojuncions fotovoltaiques de ZnO/PbS nanocristal·lins
title ZnO/PbS quantum dot photovoltaics for heterojunction and bulk nano-heterojunction architectures
spellingShingle ZnO/PbS quantum dot photovoltaics for heterojunction and bulk nano-heterojunction architectures
Chouhan, Ariana
Nanoparticles
Solar cells
Quantum dots
Semiconductor nanocrystals
quantum dot photovoltaics
heterojunction
ZnO
PbS
heterouniones
fotovoltaicas
nanocristalinos
nanoestructures -- propietats òptiques
Nanopartícules
Cèl·lules solars
Punts quàntics
Nanocristalls semiconductors
Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació::Telecomunicació òptica::Fotònica
title_short ZnO/PbS quantum dot photovoltaics for heterojunction and bulk nano-heterojunction architectures
title_full ZnO/PbS quantum dot photovoltaics for heterojunction and bulk nano-heterojunction architectures
title_fullStr ZnO/PbS quantum dot photovoltaics for heterojunction and bulk nano-heterojunction architectures
title_full_unstemmed ZnO/PbS quantum dot photovoltaics for heterojunction and bulk nano-heterojunction architectures
title_sort ZnO/PbS quantum dot photovoltaics for heterojunction and bulk nano-heterojunction architectures
dc.creator.none.fl_str_mv Chouhan, Ariana
author Chouhan, Ariana
author_facet Chouhan, Ariana
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Stavrinadis, Alexandros
Konstantatos, Gerasimos
dc.subject.none.fl_str_mv Nanoparticles
Solar cells
Quantum dots
Semiconductor nanocrystals
quantum dot photovoltaics
heterojunction
ZnO
PbS
heterouniones
fotovoltaicas
nanocristalinos
nanoestructures -- propietats òptiques
Nanopartícules
Cèl·lules solars
Punts quàntics
Nanocristalls semiconductors
Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació::Telecomunicació òptica::Fotònica
topic Nanoparticles
Solar cells
Quantum dots
Semiconductor nanocrystals
quantum dot photovoltaics
heterojunction
ZnO
PbS
heterouniones
fotovoltaicas
nanocristalinos
nanoestructures -- propietats òptiques
Nanopartícules
Cèl·lules solars
Punts quàntics
Nanocristalls semiconductors
Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació::Telecomunicació òptica::Fotònica
description [ANGLÈS] Recent work based on photovoltaic heterojunction devices consisting of n-type ZnO and p-type PbS is developed. We demonstrate that the PbS/metal electrode interface does not necessarily form a Shottky barrier which is confirmed by a device ideality factor of 1.85 ? consistent with a single diode model. We believe planar heterojunction architectures impose an efficiency limit based on the low contact area between interfacial layers and have thus developed recent work that introduced the bulk nano-heterojunction ? a facile method for mixing p and n type colloidal quantum dots together in solution. Devices are based on n-type ZnO and p-type PbS which exhibit open circuit voltages as high as 0.76 V.
publishDate 2012
dc.date.none.fl_str_mv 2012
2012-09-06
2012
2012-10-08
dc.type.none.fl_str_mv master thesis
http://purl.org/coar/resource_type/c_bdcc
NA
http://purl.org/coar/version/c_be7fb7dd8ff6fe43
dc.type.openaire.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
dc.identifier.none.fl_str_mv https://hdl.handle.net/2099.1/16192
url https://hdl.handle.net/2099.1/16192
dc.language.none.fl_str_mv Inglés
eng
language_invalid_str_mv Inglés
language eng
dc.rights.none.fl_str_mv open access
http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Spain
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/
dc.rights.openaire.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
rights_invalid_str_mv open access
http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Spain
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Universitat Politècnica de Catalunya
publisher.none.fl_str_mv Universitat Politècnica de Catalunya
dc.source.none.fl_str_mv reponame:UPCommons. Portal del coneixement obert de la UPC
instname:Universitat Politècnica de Catalunya (UPC)
instname_str Universitat Politècnica de Catalunya (UPC)
reponame_str UPCommons. Portal del coneixement obert de la UPC
collection UPCommons. Portal del coneixement obert de la UPC
repository.name.fl_str_mv
repository.mail.fl_str_mv
_version_ 1869419490464235520
score 15,300724

Registos relacionados