Boosting charge carrier mobilities in upgraded metallurgical grade silicon by phosphorous diffusion gettering

Detalles Bibliográficos
Autores:	Revuelta Martínez, Sergio\|\|\|0000-0002-0238-1826, Dasilva Villanueva, Nerea\|\|\|0000-0002-0111-6510, Fuertes Marrón, David\|\|\|0000-0002-9493-9902, Cañizo Nadal, Carlos del\|\|\|0000-0003-1287-6854, Cánovas Díaz, Enrique\|\|\|0000-0003-1021-4929
Tipo de recurso:	artículo
Fecha de publicación:	2022
País:	España
Institución:	Universidad Politécnica de Madrid
Repositorio:	Archivo Digital UPM
OAI Identifier:	oai:oa.upm.es:86232
Acceso en línea:	https://oa.upm.es/86232/
Access Level:	acceso abierto
Palabra clave:	Charge carrier lifetimes charge carrier mobilities dynamics ionized impurities lifetimes quasi-steady-state scattering semiconductors silicons solar-grade silicons time-resolved THz spectroscopy upgraded metallurgical grade silicons

Descripción
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