High-Performance and Traditional Multicrystalline Silicon: Comparing Gettering Responses and Lifetime-Limiting Defects

Detalles Bibliográficos
Autores:	Castellanos, Sergio, Ekstrom, Kay E., Autruffe, Antoine, Jensen, Mallory A., Morishige, Ashley E., Hofstetter, Jasmin, Yen, Patricia, Lai, Barry, Stokkan, Gaute, Cañizo Nadal, Carlos del\|\|\|0000-0003-1287-6854, Buonassisi, Tonio
Tipo de recurso:	artículo
Fecha de publicación:	2016
País:	España
Institución:	Universidad Politécnica de Madrid
Repositorio:	Archivo Digital UPM
OAI Identifier:	oai:oa.upm.es:39903
Acceso en línea:	https://oa.upm.es/39903/
Access Level:	acceso abierto
Palabra clave:	Cooling Gettering Grain boundaries Iron Photovoltaic systems Silicon Defects dislocation recombination activity dislocations eccentricity variation high-performance multicrystalline silicon (HPMC-Si) minority-carrier lifetime photovoltaics recombination synchrotron

Descripción
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