Estudio morfológico y estructural del crecimiento epitaxial de capas de Si y Si 1-y Cy
En este trabajo se ha estudiado el crecimiento epitaxial de capas de silicio sobre substrato de Si (001) y capas pseudomórficas de Si1-yCy utilizando silano y tetrametilsilano como gases precursores en el crecimiento vía Deposición Química en Fase Vapor. La temperatura mínima de epitaxia de las capa...
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| Tipo de recurso: | tesis doctoral |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2001 |
| País: | España |
| Institución: | CBUC, CESCA |
| Repositorio: | TDR. Tesis Doctorales en Red |
| OAI Identifier: | oai:www.tdx.cat:10803/3329 |
| Acceso en línea: | http://www.tdx.cat/TDX-0607101-093902 http://hdl.handle.net/10803/3329 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | CVD Epitaxia Si y Si 1 Ycy Ciències Experimentals 538.9 |
| Sumario: | En este trabajo se ha estudiado el crecimiento epitaxial de capas de silicio sobre substrato de Si (001) y capas pseudomórficas de Si1-yCy utilizando silano y tetrametilsilano como gases precursores en el crecimiento vía Deposición Química en Fase Vapor. La temperatura mínima de epitaxia de las capas de Si ha sido del orden de 600°C. Dependiendo de los flujos y la temperatura se ha observado la formación de micromaclas a lo largo de la dirección {111}. También se ha efectuado el crecimiento de las aleaciones mediante Epitaxia en Fase Sólida utilizando una dosis de implantación de carbono elevada . La implantación iónica de Si en substrato de Si (180 keV, 5x1015 ion/cm2) ha resultado en la formación de una capa enterrada de silicio amorfo. Las muestras recocidas a temperaturas de 650°C, han crecido pseudomorficamente, con la presencia de máximos de interferencia en la zona de bajos ángulos con respecto al pico del substrato. Estos máximos son consecuencia de las zonas con esfuerzos de compresión y de fenómenos de interferencia entre las distintas zonas. La implantación de C se ha efectuado a 40 keV y 9x1015 ion /cm2; bajo estas condiciones se ha conseguido el crecimiento epitaxial en fase sólida de aleaciones de Si1-yCy a temperaturas bajas de 450°C. A pesar de la elevada cantidad de carbono introducido, los resultados obtenidos muestran incorporaciones substitucionales del orden de 0.3-0.4 %. La baja incorporación de carbono esta relacionada con la presencia de intersticiales de Si en exceso. Los intersticiales generados actúan como trampas para los átomos de carbono formando complejos Si-C. La formación de estos complejos reduce el estrés asociado y limita la cantidad de C substitucional en el sistema. Un estudio detallado a través del ajuste de las curvas rocking mediante teoría dinámica de rayos X, ha permitido una estimación de los espesores de las capas, la composición y otros parámetros estructurales de los perfiles de difracción. |
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