New Photonic devices based on NLO(non-linear optical) crystalline waveguides
El RbTiOPO4 és un cristall de òptica no lineal amb alts coeficients electró-òptics i un llindar de dany òptic elevat, això el converteix en un material potencial per aplicacions electro-òptiques. Actualment hi ha un interès en el desenvolupament de components òptics basats en materials dielèctrics,...
| Autor: | |
|---|---|
| Tipo de recurso: | tesis doctoral |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2015 |
| País: | España |
| Institución: | CBUC, CESCA |
| Repositorio: | TDR. Tesis Doctorales en Red |
| OAI Identifier: | oai:www.tdx.cat:10803/403372 |
| Acceso en línea: | http://hdl.handle.net/10803/403372 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | RbTiOPO4 Guies d'ona capes epitaxials Guias de onda capas epitaxiales waveguides epitaxial layer Ciències 53 535 538.9 548 |
| Sumario: | El RbTiOPO4 és un cristall de òptica no lineal amb alts coeficients electró-òptics i un llindar de dany òptic elevat, això el converteix en un material potencial per aplicacions electro-òptiques. Actualment hi ha un interès en el desenvolupament de components òptics basats en materials dielèctrics, identificat com un tema de recerca punter per Europa Horitzó 2020. La finalitat d’aquesta tesis és explorar el RTP com a plataforma dielèctrica per dispositius fotònics, que tenen aplicacions en les telecomunicacions i en el sensat biològic. En aquesta tesis s’han crescut materials monocristal•lins en volum de RTP, K:RTP i Na:KTP pel mètode de Top seeded solution growth. Els cristalls obtinguts són òptims per ser utilitzats com a plataforma per fabricar guies d’ona i com a substrats pel creixement de capes epitaxials. Capes epitaxials de (Yb,Nb):RTP sobre RTP(001), RTP sobre K:RTP(001) i K.:RTP(100), i KTP sobre Na:KTP(001) s’han crescut per la metodologia de liquid phase epitaxy. Aquesta metodologia ha permès obtenir capes monocristal•lines amb una interfase d’alta qualitat cristal•lina La fabricació de guies d’ona ha esta realitzada per RIE i ICP-RIE. Es reporta en aquesta tesis, un avanç en el coneixement del procés de etching del RTP. El mètode d’intercanvi iònic, amb Cs+ com ió, s’ha utilitzat per produir guies rectes, corbes i MZ. Degut a l’alta conductivitat iònica del RTP al llarg de la direcció c cristal•logràfica, l’ intercanvi iònic és altament factible i gairebé unidireccional. S’ha obtingut exitosament el procés de guiat de llum en totes les guies d’ona fabricades. Pels Y-splitters i els MZ fabricats sobre els cristalls RTP/(Yb,Nb):RTP/RTP(001) estructurats amb RIE sobre la capa activa o bé el substrat, la guia obtinguda és monomode amb polarització TM a 1550 nm. Les pèrdues de propagació són de 3.5 dB/cm. Per les guies d’ona rectes fabricades sobre RTP/(Yb,Nb):RTP/RTP(001) per estructuració del recobriment per ICP-RIE, les pèrdues de propagació són 0.376 dB/cm a 1550 nm. |
|---|