Comportamiento dieléctrico de cerámicos de CaCu3Ti4O12
En este trabajo se prepararon cerámicos basados en CaCu3Ti4O12 (CCTO) por reacción en estado sólido a 900°C y posterior sinterizado a 1100°C. Mediante difracción de rayos X (DRX) se comprobó la presencia de CCTO. A través de espectroscopía Raman se observó la presencia de una fase secundaria rica en...
| Autores: | , , |
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| Tipo de recurso: | artículo |
| Fecha de publicación: | 2011 |
| País: | España |
| Institución: | Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC) |
| Repositorio: | DIGITAL.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC |
| OAI Identifier: | oai:digital.csic.es:10261/40368 |
| Acceso en línea: | http://boletines.secv.es/upload/2011090183213.201150207.pdf http://hdl.handle.net/10261/40368 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | CaCu3Ti4O12 Propiedades dieléctricas |
| Sumario: | En este trabajo se prepararon cerámicos basados en CaCu3Ti4O12 (CCTO) por reacción en estado sólido a 900°C y posterior sinterizado a 1100°C. Mediante difracción de rayos X (DRX) se comprobó la presencia de CCTO. A través de espectroscopía Raman se observó la presencia de una fase secundaria rica en CuO. Las mediciones de espectroscopía de impedancia demostraron que este material presenta una constante dieléctrica mayor a 13.000ε0 en el intervalo comprendido entre 25 y 106 Hz. Este valor es atribuido a la presencia de mecanismos de polarización de carga espacial y dipolar. |
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