Nitrogen incorporation into strained (In, Ga) (As, N) thin films grown on (100), (511), (411), (311), and (111) GaAs substrates studied by photoreflectance spectroscopy and high-resolution x-ray diffraction

9 pages, 4 figures, 2 tables.-- PACS: 81.05.Ea; 61.72.Vv; 78.66.Fd; 78.20.-e; 68.60.Bs; 81.40.Lm

Detalles Bibliográficos
Autores:	Ibáñez Insa, Jordi, Kudrawiec, R., Misiewicz, J., Schmidbauer, M., Henini, Mohamed, Hopkinson, Mark
Tipo de recurso:	artículo
Fecha de publicación:	2006
País:	España
Institución:	Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC)
Repositorio:	DIGITAL.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC
OAI Identifier:	oai:digital.csic.es:10261/21634
Acceso en línea:	http://hdl.handle.net/10261/21634
Access Level:	acceso abierto
Palabra clave:	Nitrogen Indium compounds Gallium compounds Gallium arsenide III-V semiconductors

Descripción
Sumario:	9 pages, 4 figures, 2 tables.-- PACS: 81.05.Ea; 61.72.Vv; 78.66.Fd; 78.20.-e; 68.60.Bs; 81.40.Lm