ANALYTICAL COMPACT MODELING OF NANOSCALE MULTIPLE-GATE MOSFETS.

Detalles Bibliográficos
Autor: Holtij, Thomas
Tipo de recurso: tesis doctoral
Estado:Versión publicada
Fecha de publicación:2014
País:España
Institución:Universitat Rovira i virgili (URV)
Repositorio:Repositori Institucional de la Universitat Rovira i Virgili
OAI Identifier:oai:urv.cat:TDX:1416
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX1416
http://hdl.handle.net/10803/284038
Access Level:acceso abierto
Palabra clave:621.3
62
TCAD Simulations
MOSFET Modeling
Semiconductor Devices
simulaciones TCAD
modelizacion de MOSFET
Dispositivos semiconducto
conformal mapping
simulacions TCAD
modelització de MOSFET
dispositius semiconductor
id ES_a46f33e2d5ea75041d2a1d4bb91b61db
oai_identifier_str oai:urv.cat:TDX:1416
network_acronym_str ES
network_name_str España
repository_id_str
spelling ANALYTICAL COMPACT MODELING OF NANOSCALE MULTIPLE-GATE MOSFETS.Holtij, Thomas621.362TCAD SimulationsMOSFET ModelingSemiconductor Devicessimulaciones TCADmodelizacion de MOSFETDispositivos semiconductoconformal mappingsimulacions TCADmodelització de MOSFETdispositius semiconductorUniversitat Rovira i Virgili Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i AutomàticaUniversitat Rovira i Virgili.2014info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisapplication/pdf186 p.https://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX1416http://hdl.handle.net/10803/284038TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)T 1670-2014reponame:Repositori Institucional de la Universitat Rovira i Virgiliinstname:Universitat Rovira i virgili (URV)Inglésinfo:eu-repo/semantics/openAccessADVERTIMENT. L'accés als continguts d'aquesta tesi doctoral i la seva utilització ha de respectar els drets de la persona autora. Pot ser utilitzada per a consulta o estudi personal, així com en activitats o materials d'investigació i docència en els termes establerts a l'art. 32 del Text Refós de la Llei de Propietat Intel·lectual (RDL 1/1996). Per altres utilitzacions es requereix l'autorització prèvia i expressa de la persona autora. En qualsevol cas, en la utilització dels seus continguts caldrà  indicar de forma clara el nom i cognoms de la persona autora i el títol de la tesi doctoral. No s'autoritza la seva reproducció o altres formes d'explotació efectuades amb finalitats de lucre ni la seva comunicació pública des d'un lloc aliè al repositori institucional de la Universitat Rovira i Virgili. Tampoc s'autoritza la presentació del seu contingut en una finestra o marc aliè a aquest repositori (framing). Aquesta reserva de drets afecta tant als continguts de la tesi com als seus resums i índexs.oai:urv.cat:TDX:14162026-06-23T12:42:27Z
dc.title.none.fl_str_mv ANALYTICAL COMPACT MODELING OF NANOSCALE MULTIPLE-GATE MOSFETS.
title ANALYTICAL COMPACT MODELING OF NANOSCALE MULTIPLE-GATE MOSFETS.
spellingShingle ANALYTICAL COMPACT MODELING OF NANOSCALE MULTIPLE-GATE MOSFETS.
Holtij, Thomas
621.3
62
TCAD Simulations
MOSFET Modeling
Semiconductor Devices
simulaciones TCAD
modelizacion de MOSFET
Dispositivos semiconducto
conformal mapping
simulacions TCAD
modelització de MOSFET
dispositius semiconductor
title_short ANALYTICAL COMPACT MODELING OF NANOSCALE MULTIPLE-GATE MOSFETS.
title_full ANALYTICAL COMPACT MODELING OF NANOSCALE MULTIPLE-GATE MOSFETS.
title_fullStr ANALYTICAL COMPACT MODELING OF NANOSCALE MULTIPLE-GATE MOSFETS.
title_full_unstemmed ANALYTICAL COMPACT MODELING OF NANOSCALE MULTIPLE-GATE MOSFETS.
title_sort ANALYTICAL COMPACT MODELING OF NANOSCALE MULTIPLE-GATE MOSFETS.
dc.creator.none.fl_str_mv Holtij, Thomas
author Holtij, Thomas
author_facet Holtij, Thomas
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica
Universitat Rovira i Virgili.
dc.subject.none.fl_str_mv 621.3
62
TCAD Simulations
MOSFET Modeling
Semiconductor Devices
simulaciones TCAD
modelizacion de MOSFET
Dispositivos semiconducto
conformal mapping
simulacions TCAD
modelització de MOSFET
dispositius semiconductor
topic 621.3
62
TCAD Simulations
MOSFET Modeling
Semiconductor Devices
simulaciones TCAD
modelizacion de MOSFET
Dispositivos semiconducto
conformal mapping
simulacions TCAD
modelització de MOSFET
dispositius semiconductor
publishDate 2014
dc.date.none.fl_str_mv 2014
dc.type.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
format doctoralThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.none.fl_str_mv https://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX1416
http://hdl.handle.net/10803/284038
url https://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX1416
http://hdl.handle.net/10803/284038
dc.language.none.fl_str_mv Inglés
language_invalid_str_mv Inglés
dc.rights.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
186 p.
dc.publisher.none.fl_str_mv Universitat Rovira i Virgili
publisher.none.fl_str_mv Universitat Rovira i Virgili
dc.source.none.fl_str_mv TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
T 1670-2014
reponame:Repositori Institucional de la Universitat Rovira i Virgili
instname:Universitat Rovira i virgili (URV)
instname_str Universitat Rovira i virgili (URV)
reponame_str Repositori Institucional de la Universitat Rovira i Virgili
collection Repositori Institucional de la Universitat Rovira i Virgili
repository.name.fl_str_mv
repository.mail.fl_str_mv
_version_ 1869415496823078912
score 15.300724

Similares en LA Referencia