ANALYTICAL COMPACT MODELING OF NANOSCALE MULTIPLE-GATE MOSFETS.
| Autor: | |
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| Tipo de recurso: | tesis doctoral |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2014 |
| País: | España |
| Institución: | Universitat Rovira i virgili (URV) |
| Repositorio: | Repositori Institucional de la Universitat Rovira i Virgili |
| OAI Identifier: | oai:urv.cat:TDX:1416 |
| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX1416 http://hdl.handle.net/10803/284038 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | 621.3 62 TCAD Simulations MOSFET Modeling Semiconductor Devices simulaciones TCAD modelizacion de MOSFET Dispositivos semiconducto conformal mapping simulacions TCAD modelització de MOSFET dispositius semiconductor |
| Descripción no disponible. |