A view of the implanted SiC damage by Rutherford backscattering spectroscopy, spectroscopic ellipsometry, and transmission electron microscopy
5 páginas, 5 figuras, 1 tabla.-- et al.
| Autores: | , , |
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| Tipo de recurso: | artículo |
| Fecha de publicación: | 2006 |
| País: | España |
| Institución: | Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC) |
| Repositorio: | DIGITAL.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC |
| OAI Identifier: | oai:digital.csic.es:10261/39211 |
| Acceso en línea: | http://hdl.handle.net/10261/39211 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | SiC Crystal structures Transmission electron microscopy (TEM) Rutherford backscattering spectrometry in channeling geometry (RBS/C) Spectroscopic ellipsometry (SE) High resolution electron microscopy (HREM) |
| Sumario: | 5 páginas, 5 figuras, 1 tabla.-- et al. |
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