A physically based model for resistive memories including a detailed temperature and variability description
Producción Científica
| Autores: | , , , , , , , |
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| Tipo de documento: | artigo |
| Estado: | Versão publicada |
| Data de publicação: | 2017 |
| País: | España |
| Recursos: | Universidad de Valladolid |
| Repositório: | UVaDOC. Repositorio Documental de la Universidad de Valladolid |
| OAI Identifier: | oai:uvadoc.uva.es:10324/65983 |
| Acesso em linha: | https://doi.org/10.1016/j.mee.2017.04.019 https://uvadoc.uva.es/handle/10324/65983 |
| Access Level: | Acceso aberto |
| Palavra-chave: | Resistive RAM ReRAM Physical model Stochastic variability |
| Resumo: | Producción Científica |
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