A physically based model for resistive memories including a detailed temperature and variability description

Producción Científica

Detalles Bibliográficos
Autores: González-Cordero, G., González, M.B., García García, Héctor, Campabadal Segura, Francesca, Dueñas Carazo, Salvador, Castán Lanaspa, María Helena, Jiménez-Molinos, Francisco, Roldán, J.B.
Tipo de recurso: artículo
Estado:Versión publicada
Fecha de publicación:2017
País:España
Institución:Universidad de Valladolid
Repositorio:UVaDOC. Repositorio Documental de la Universidad de Valladolid
OAI Identifier:oai:uvadoc.uva.es:10324/65983
Acceso en línea:https://doi.org/10.1016/j.mee.2017.04.019
https://uvadoc.uva.es/handle/10324/65983
Access Level:acceso abierto
Palabra clave:Resistive RAM
ReRAM
Physical model
Stochastic variability
Descripción
Sumario:Producción Científica

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