Two-dimensional analytical predictive modeling of schottky barrier soi and multi-gate mosfets

En esta tesis se analiza el comportamiento físico de los principales mecanismos de transporte en dispositivos Schottky barrier (Double-Gate) MOSFET nanométricos, y se presentan nuevos modelos compactos apropiads. Se desarrollaron soluciones analíticas completamente bidimensionales de la electrostàti...

ver descrição completa

Detalhes bibliográficos
Autor: Schwarz, Mike
Formato: tesis doctoral
Estado:Versión publicada
Fecha de publicación:2012
País:España
Recursos:Universitat Rovira i virgili (URV)
Repositorio:Repositori Institucional de la Universitat Rovira i Virgili
OAI Identifier:oai:urv.cat:TDX:1180
Acesso em linha:https://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX1180
http://hdl.handle.net/10803/108995
Access Level:acceso abierto
Palavra-chave:621.3 - Enginyeria elèctrica. Electrotècnia. Telecomunicacions
62 - Enginyeria. Tecnologia
id ES_9119c8a5bf3ab7d03ea1eacf93117b31
oai_identifier_str oai:urv.cat:TDX:1180
network_acronym_str ES
network_name_str España
repository_id_str
spelling Two-dimensional analytical predictive modeling of schottky barrier soi and multi-gate mosfetsSchwarz, Mike621.3 - Enginyeria elèctrica. Electrotècnia. Telecomunicacions62 - Enginyeria. TecnologiaEn esta tesis se analiza el comportamiento físico de los principales mecanismos de transporte en dispositivos Schottky barrier (Double-Gate) MOSFET nanométricos, y se presentan nuevos modelos compactos apropiads. Se desarrollaron soluciones analíticas completamente bidimensionales de la electrostàtica de estos dispositivos con ayuda de la técnica de mapeado conforme Schwarz-Christoffel. Basándose en estas soluciones electrostáticas analíticas, se desarrolló un método analítico de cálculo de las corrientes. El modelo se comparó y validó con simulaciones numéricas obtenidas mediante TCAD Sentaurus para longitudes de canal de hasta 22 nm, y con medidas experimentales de dispositivos SB-UTB-MOSFET con segregación de dopantes y longitud de canal de 80 nm. Se obtuvo una muy buena concordancia entre las predicciones del modelo compacto por un lado, y las simulaciones TCAD y medidas experimentales por otro.Universitat Rovira i Virgili Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i AutomàticaUniversitat Rovira i Virgili.2012info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisapplication/pdf260 p.https://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX1180http://hdl.handle.net/10803/108995reponame:Repositori Institucional de la Universitat Rovira i Virgiliinstname:Universitat Rovira i virgili (URV)Inglésinfo:eu-repo/semantics/openAccessADVERTIMENT. L'accés als continguts d'aquesta tesi doctoral i la seva utilització ha de respectar els drets de la persona autora. Pot ser utilitzada per a consulta o estudi personal, així com en activitats o materials d'investigació i docència en els termes establerts a l'art. 32 del Text Refós de la Llei de Propietat Intel·lectual (RDL 1/1996). Per altres utilitzacions es requereix l'autorització prèvia i expressa de la persona autora. En qualsevol cas, en la utilització dels seus continguts caldrà  indicar de forma clara el nom i cognoms de la persona autora i el títol de la tesi doctoral. No s'autoritza la seva reproducció o altres formes d'explotació efectuades amb finalitats de lucre ni la seva comunicació pública des d'un lloc aliè al repositori institucional de la Universitat Rovira i Virgili. Tampoc s'autoritza la presentació del seu contingut en una finestra o marc aliè a aquest repositori (framing). Aquesta reserva de drets afecta tant als continguts de la tesi com als seus resums i índexs.oai:urv.cat:TDX:11802026-06-23T12:42:27Z
dc.title.none.fl_str_mv Two-dimensional analytical predictive modeling of schottky barrier soi and multi-gate mosfets
title Two-dimensional analytical predictive modeling of schottky barrier soi and multi-gate mosfets
spellingShingle Two-dimensional analytical predictive modeling of schottky barrier soi and multi-gate mosfets
Schwarz, Mike
621.3 - Enginyeria elèctrica. Electrotècnia. Telecomunicacions
62 - Enginyeria. Tecnologia
title_short Two-dimensional analytical predictive modeling of schottky barrier soi and multi-gate mosfets
title_full Two-dimensional analytical predictive modeling of schottky barrier soi and multi-gate mosfets
title_fullStr Two-dimensional analytical predictive modeling of schottky barrier soi and multi-gate mosfets
title_full_unstemmed Two-dimensional analytical predictive modeling of schottky barrier soi and multi-gate mosfets
title_sort Two-dimensional analytical predictive modeling of schottky barrier soi and multi-gate mosfets
dc.creator.none.fl_str_mv Schwarz, Mike
author Schwarz, Mike
author_facet Schwarz, Mike
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica
Universitat Rovira i Virgili.
dc.subject.none.fl_str_mv 621.3 - Enginyeria elèctrica. Electrotècnia. Telecomunicacions
62 - Enginyeria. Tecnologia
topic 621.3 - Enginyeria elèctrica. Electrotècnia. Telecomunicacions
62 - Enginyeria. Tecnologia
description En esta tesis se analiza el comportamiento físico de los principales mecanismos de transporte en dispositivos Schottky barrier (Double-Gate) MOSFET nanométricos, y se presentan nuevos modelos compactos apropiads. Se desarrollaron soluciones analíticas completamente bidimensionales de la electrostàtica de estos dispositivos con ayuda de la técnica de mapeado conforme Schwarz-Christoffel. Basándose en estas soluciones electrostáticas analíticas, se desarrolló un método analítico de cálculo de las corrientes. El modelo se comparó y validó con simulaciones numéricas obtenidas mediante TCAD Sentaurus para longitudes de canal de hasta 22 nm, y con medidas experimentales de dispositivos SB-UTB-MOSFET con segregación de dopantes y longitud de canal de 80 nm. Se obtuvo una muy buena concordancia entre las predicciones del modelo compacto por un lado, y las simulaciones TCAD y medidas experimentales por otro.
publishDate 2012
dc.date.none.fl_str_mv 2012
dc.type.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
format doctoralThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.none.fl_str_mv https://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX1180
http://hdl.handle.net/10803/108995
url https://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX1180
http://hdl.handle.net/10803/108995
dc.language.none.fl_str_mv Inglés
language_invalid_str_mv Inglés
dc.rights.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
260 p.
dc.publisher.none.fl_str_mv Universitat Rovira i Virgili
publisher.none.fl_str_mv Universitat Rovira i Virgili
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Repositori Institucional de la Universitat Rovira i Virgili
instname:Universitat Rovira i virgili (URV)
instname_str Universitat Rovira i virgili (URV)
reponame_str Repositori Institucional de la Universitat Rovira i Virgili
collection Repositori Institucional de la Universitat Rovira i Virgili
repository.name.fl_str_mv
repository.mail.fl_str_mv
_version_ 1869413362638520320
score 15,300719

Registos relacionados