Efecto del argon en películas CNxHy depositadas mediante ECR-CVD
[ES] Se ha estudiado el efecto del argon durante el proceso de CVD asistido por un plasma ECR para la síntesis de películas de nitruro de carbono (CNxHy) a partir de mezclas gaseosas Ar/CH4/N2 con diferente contenido de metano. Las películas depositadas han sido analizadas mediante espectroscopía in...
| Autores: | , , , |
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| Tipo de recurso: | artículo |
| Fecha de publicación: | 2004 |
| País: | España |
| Institución: | Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC) |
| Repositorio: | DIGITAL.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC |
| OAI Identifier: | oai:digital.csic.es:10261/4535 |
| Acceso en línea: | http://hdl.handle.net/10261/4535 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Películas delgadas Nitruro de carbono hidrogenado Argón ECR-CVD Thin films Hydrogenated carbon nitride Argon |
| Sumario: | [ES] Se ha estudiado el efecto del argon durante el proceso de CVD asistido por un plasma ECR para la síntesis de películas de nitruro de carbono (CNxHy) a partir de mezclas gaseosas Ar/CH4/N2 con diferente contenido de metano. Las películas depositadas han sido analizadas mediante espectroscopía infrarroja (IRS) y ERDA (Elastic Recoil Detection Analysis), y el análisis del plasma ha sido realizado utilizando la técnica de espectroscopía de emisión óptica (OES). La velocidad de deposición y la composición de las películas depositadas se encuentran determinadas por la concentración de argon en la mezcla gaseosa. Se propone un modelo, según el cual el argon juega un papel fundamental como activador de las moléculas de metano. El modelo propuesto incluye dos procesos simultáneos durante el crecimiento de las capas : i) formación de la capa y ii) ataque de la superficie de crecimiento. Según la composición de la mezcla gaseosa se favorece uno u otro proceso, lo que conduce a velocidades de deposición diferentes así como a depósitos con diferente composición y estructura atómica. |
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