Photoresistance and electroresistance in ferroelectric tunnel junctions based on BaTiO3 and Hf0.5Zr0.5O2

El desenvolupament de la tecnologia de la informació s'acosta a un coll d'ampolla. Avui dia les memòries FLASH DRAM i NAND han mostrat inconvenients com la baixa retenció de la informació, temps de commutació lents i problemes de robustesa. Altres memòries no volàtils (NVMs) emergents s�...

ver descrição completa

Detalhes bibliográficos
Autor: Long, Xiao
Formato: tesis doctoral
Fecha de publicación:2022
País:España
Recursos:Universitat Autònoma de Barcelona
Repositorio:Dipòsit Digital de Documents de la UAB
Idioma:inglés
OAI Identifier:oai:ddd.uab.cat:273801
Acesso em linha:https://ddd.uab.cat/record/273801
Access Level:acceso abierto
Palavra-chave:Ferroelèctrica
Ferroeléctrica
Ferroelectric
Memòries
Memorias
Memories
No volàtils
No volátiles
Non-volatile
Ciències Experimentals
538.9
id ES_78a0ae1feb0fb716fe0d97f5ca020df4
oai_identifier_str oai:ddd.uab.cat:273801
network_acronym_str ES
network_name_str España
repository_id_str
dc.title.none.fl_str_mv Photoresistance and electroresistance in ferroelectric tunnel junctions based on BaTiO3 and Hf0.5Zr0.5O2
title Photoresistance and electroresistance in ferroelectric tunnel junctions based on BaTiO3 and Hf0.5Zr0.5O2
spellingShingle Photoresistance and electroresistance in ferroelectric tunnel junctions based on BaTiO3 and Hf0.5Zr0.5O2
Long, Xiao
Ferroelèctrica
Ferroeléctrica
Ferroelectric
Memòries
Memorias
Memories
No volàtils
No volátiles
Non-volatile
Ciències Experimentals
538.9
title_short Photoresistance and electroresistance in ferroelectric tunnel junctions based on BaTiO3 and Hf0.5Zr0.5O2
title_full Photoresistance and electroresistance in ferroelectric tunnel junctions based on BaTiO3 and Hf0.5Zr0.5O2
title_fullStr Photoresistance and electroresistance in ferroelectric tunnel junctions based on BaTiO3 and Hf0.5Zr0.5O2
title_full_unstemmed Photoresistance and electroresistance in ferroelectric tunnel junctions based on BaTiO3 and Hf0.5Zr0.5O2
title_sort Photoresistance and electroresistance in ferroelectric tunnel junctions based on BaTiO3 and Hf0.5Zr0.5O2
dc.creator.none.fl_str_mv Long, Xiao
author Long, Xiao
author_facet Long, Xiao
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Fina, Ignasi
Fontcuberta, Josep
dc.subject.none.fl_str_mv Ferroelèctrica
Ferroeléctrica
Ferroelectric
Memòries
Memorias
Memories
No volàtils
No volátiles
Non-volatile
Ciències Experimentals
538.9
topic Ferroelèctrica
Ferroeléctrica
Ferroelectric
Memòries
Memorias
Memories
No volàtils
No volátiles
Non-volatile
Ciències Experimentals
538.9
description El desenvolupament de la tecnologia de la informació s'acosta a un coll d'ampolla. Avui dia les memòries FLASH DRAM i NAND han mostrat inconvenients com la baixa retenció de la informació, temps de commutació lents i problemes de robustesa. Altres memòries no volàtils (NVMs) emergents s'han convertit en candidates per a la propera era de computació neuromòrfica. Un tipus de NVM és la unió túnel ferroelèctrica (FTJ), que té una estructura de condensador simple, que consisteix en una capa ferroelèctrica ultraprima, que permet el transport per efecte túnel, intercalada entre dos elèctrodes metàl·lics. La commutació de la polarització ferroelèctrica entre dues direccions (PDOWN i PUP) modula les propietats de la barrera a la intercara amb els elèctrodes, cosa que conseqüentment causa canvis de conductància, és a dir, dóna lloc a electroresistència (ER). A diferència d'altres tipus de memòries ferroelèctriques, la lectura de l'estat de memòria de les FTJ no pertorba el seu estat de polarització (estat de memòria). Les FTJs mostren bona retenció durant molt de temps (.
publishDate 2022
dc.date.none.fl_str_mv 2
2022-01-01
2022
2022-01-01
dc.type.none.fl_str_mv Tesi doctoral
http://purl.org/coar/resource_type/c_db06
VoR
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
dc.type.openaire.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
format doctoralThesis
dc.identifier.none.fl_str_mv https://ddd.uab.cat/record/273801
url https://ddd.uab.cat/record/273801
dc.language.none.fl_str_mv Inglés
eng
language_invalid_str_mv Inglés
language eng
dc.rights.none.fl_str_mv open access
http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
https://creativecommons.org/licenses/by-sa/4.0/
dc.rights.openaire.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
rights_invalid_str_mv open access
http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
https://creativecommons.org/licenses/by-sa/4.0/
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Dipòsit Digital de Documents de la UAB
instname:Universitat Autònoma de Barcelona
instname_str Universitat Autònoma de Barcelona
reponame_str Dipòsit Digital de Documents de la UAB
collection Dipòsit Digital de Documents de la UAB
repository.name.fl_str_mv
repository.mail.fl_str_mv
_version_ 1869411261544923136
spelling Photoresistance and electroresistance in ferroelectric tunnel junctions based on BaTiO3 and Hf0.5Zr0.5O2Long, XiaoFerroelèctricaFerroeléctricaFerroelectricMemòriesMemoriasMemoriesNo volàtilsNo volátilesNon-volatileCiències Experimentals538.9El desenvolupament de la tecnologia de la informació s'acosta a un coll d'ampolla. Avui dia les memòries FLASH DRAM i NAND han mostrat inconvenients com la baixa retenció de la informació, temps de commutació lents i problemes de robustesa. Altres memòries no volàtils (NVMs) emergents s'han convertit en candidates per a la propera era de computació neuromòrfica. Un tipus de NVM és la unió túnel ferroelèctrica (FTJ), que té una estructura de condensador simple, que consisteix en una capa ferroelèctrica ultraprima, que permet el transport per efecte túnel, intercalada entre dos elèctrodes metàl·lics. La commutació de la polarització ferroelèctrica entre dues direccions (PDOWN i PUP) modula les propietats de la barrera a la intercara amb els elèctrodes, cosa que conseqüentment causa canvis de conductància, és a dir, dóna lloc a electroresistència (ER). A diferència d'altres tipus de memòries ferroelèctriques, la lectura de l'estat de memòria de les FTJ no pertorba el seu estat de polarització (estat de memòria). Les FTJs mostren bona retenció durant molt de temps (.El desarrollo de la tecnología de la información se acerca a un cuello de botella crucial debido a la limitación de la arquitectura de Von-Neumann para el almacenamiento de datos y las funciones lógicas. Mientras tanto, hoy en día las memorias flash DRAM y NAND han mostrado inconvenientes como la baja retención de la información, tiempos de conmutación lentos y problemas de robustez. Otras memorias no volátiles (NVMs) emergentes se han convertido en candidatas para la próxima era de computación neuromórfica. Un tipo de NVM es la unión túnel ferroeléctrica (FTJ), que tiene una estructura de condensador simple, que consiste en una capa ferroeléctrica ultradelgada, que permite el transporte por efecto túnel, intercalada entre dos electrodos metálicos. La conmutación de la polarización ferroeléctrica entre dos direcciones (PDOWN y PUP) modula las propiedades de barrera en la intercara con los electrodos, lo que consecuentemente causa cambios de conductancia, es decir, da lugar a electrorresistencia (ER). A diferencia de otros tipos de memorias ferroeléctricas, la lectura del estado de memoria en las FTJ no perturba su estado de polarización (estado de memoria). Las FTJs muestran buena retención durante mucho tiempo (.Informational technology development is approaching a crucial bottleneck due to the limitation of Von-Neumann architecture, for data storage and logic functions. Meanwhile, nowadays the DRAM and NAND flash memories have shown drawbacks such as data volatility, limitations of speed and endurance problem. Newly emerging non-volatile memories (NVMs) have become prominent candidates for the upcoming era of artificial intelligence and neuromorphic computing. One promising type of NVMs is the ferroelectric tunnel junction (FTJ), which has a simple capacitor structure, consisting of an ultrathin ferroelectric layer, allowing tunnel transport, sandwiched between two metallic electrodes. The switching of ferroelectric polarization between two directions (PDOWN and PUP) modulates the barrier properties at the interface with electrodes, which consequent changes of conductance, i.e. the tunnel electroresistance (ER) effect. Contrary to early ferroelectric memories, ER is pivotal because it allows data reading in FTJs without perturbing its polarization (memory) state. It is claimed that FTJs have great potential to preserve high/low resistive state (HRS and LRS) over long time (.Fina, IgnasiFontcuberta, Josep 22022-01-0120222022-01-01Tesi doctoralhttp://purl.org/coar/resource_type/c_db06VoRhttp://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85info:eu-repo/semantics/doctoralThesisapplication/pdfhttps://ddd.uab.cat/record/273801reponame:Dipòsit Digital de Documents de la UABinstname:Universitat Autònoma de BarcelonaInglésengopen accesshttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, la comunicació pública de l'obra i la creació d'obres derivades, sempre i quan aquestes es distribueixin sota la mateixa llicència que regula l'obra original i es reconegui l'autoria.https://creativecommons.org/licenses/by-sa/4.0/info:eu-repo/semantics/openAccessoai:ddd.uab.cat:2738012026-06-06T12:50:31Z
score 15.300719

Registos relacionados