Photoresistance and electroresistance in ferroelectric tunnel junctions based on BaTiO3 and Hf0.5Zr0.5O2
El desenvolupament de la tecnologia de la informació s'acosta a un coll d'ampolla. Avui dia les memòries FLASH DRAM i NAND han mostrat inconvenients com la baixa retenció de la informació, temps de commutació lents i problemes de robustesa. Altres memòries no volàtils (NVMs) emergents s�...
| Autor: | |
|---|---|
| Tipo de recurso: | tesis doctoral |
| Fecha de publicación: | 2022 |
| País: | España |
| Institución: | Universitat Autònoma de Barcelona |
| Repositorio: | Dipòsit Digital de Documents de la UAB |
| Idioma: | inglés |
| OAI Identifier: | oai:ddd.uab.cat:273801 |
| Acceso en línea: | https://ddd.uab.cat/record/273801 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Ferroelèctrica Ferroeléctrica Ferroelectric Memòries Memorias Memories No volàtils No volátiles Non-volatile Ciències Experimentals 538.9 |
| Sumario: | El desenvolupament de la tecnologia de la informació s'acosta a un coll d'ampolla. Avui dia les memòries FLASH DRAM i NAND han mostrat inconvenients com la baixa retenció de la informació, temps de commutació lents i problemes de robustesa. Altres memòries no volàtils (NVMs) emergents s'han convertit en candidates per a la propera era de computació neuromòrfica. Un tipus de NVM és la unió túnel ferroelèctrica (FTJ), que té una estructura de condensador simple, que consisteix en una capa ferroelèctrica ultraprima, que permet el transport per efecte túnel, intercalada entre dos elèctrodes metàl·lics. La commutació de la polarització ferroelèctrica entre dues direccions (PDOWN i PUP) modula les propietats de la barrera a la intercara amb els elèctrodes, cosa que conseqüentment causa canvis de conductància, és a dir, dóna lloc a electroresistència (ER). A diferència d'altres tipus de memòries ferroelèctriques, la lectura de l'estat de memòria de les FTJ no pertorba el seu estat de polarització (estat de memòria). Les FTJs mostren bona retenció durant molt de temps (. |
|---|