Rapid thermal annealing behavior of amorphous SiC layers deposited by electron cyclotron resonance plasma
The archival version of this work was published in Journal of the electrochemical society 143.1 (1996): 271-277
| Autores: | , , , |
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| Tipo de recurso: | artículo |
| Fecha de publicación: | 1996 |
| País: | España |
| Institución: | Universidad Autónoma de Madrid |
| Repositorio: | Biblos-e Archivo. Repositorio Institucional de la UAM |
| Idioma: | inglés |
| OAI Identifier: | oai:repositorio.uam.es:10486/666478 |
| Acceso en línea: | http://hdl.handle.net/10486/666478 https://dx.doi.org/10.1149/1.1836421 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Plasma deposition Annealing Cyclotron Resonance Carbon compounds Silicon compounds Hydrogen compounds Fourier transform spectroscopy Infrared spectroscopy Spectrochemical analysis Telecomunicaciones |
| Sumario: | The archival version of this work was published in Journal of the electrochemical society 143.1 (1996): 271-277 |
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