MOSFET auto-modeling tool for accelerating analog mixed-signal simulations
[ES] El uso de modelos de circuitos analógicos es útil en muchas fases del diseño; sin embargo, es especialmente importante para acelerar las simulaciones de señal analógica mixta (AMS). En ausencia de modelos adecuados, las simulaciones de estos circuitos pueden requerir días o incluso semanas, por...
| Autor: | |
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| Tipo de recurso: | tesis de maestría |
| Fecha de publicación: | 2025 |
| País: | España |
| Institución: | Universitat Politècnica de València (UPV) |
| Repositorio: | RiuNet. Repositorio Institucional de la Universitat Politécnica de Valéncia |
| Idioma: | inglés |
| OAI Identifier: | oai:riunet.upv.es:10251/225683 |
| Acceso en línea: | https://riunet.upv.es/handle/10251/225683 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | MOSFET Microelectrónica Simulación mixta Microelectronics Mixed signal simulation Máster Universitario en Ingeniería de Sistemas Electrónicos-Màster Universitari en Enginyeria de Sistemes Electrònics |
| Sumario: | [ES] El uso de modelos de circuitos analógicos es útil en muchas fases del diseño; sin embargo, es especialmente importante para acelerar las simulaciones de señal analógica mixta (AMS). En ausencia de modelos adecuados, las simulaciones de estos circuitos pueden requerir días o incluso semanas, por lo que a menudo es necesario un equipo que dedique semanas o meses a su desarrollo. Para dar respuesta a esta necesidad, en este trabajo fin de máster se ha desarrollado una herramienta configurable que permite la generación automática de estos modelos en apenas unos minutos. Esta herramienta se ha desarrollado teniendo en cuenta las peculiaridades de las simulaciones de AMS, ya que estas simulaciones se centran principalmente en el análisis funcional, normalmente utilizando casos típicos sin variaciones de temperatura, análisis Monte Carlo, etc. Estas características permiten simplificar los modelos de transistores utilizados, ya que estos tienen en cuenta infinidad de parámetros que no tienen grandes efectos en este tipo de simulaciones. Por tanto, mediante el uso de esta herramienta, estos modelos de MOSFET de alta fidelidad utilizados en el circuito original son sustituidos por modelos simplificados cuyos parámetros se obtienen de forma empírica y automática para cada instancia mediante el análisis de la curva característica de cada uno de ellos, acelerando así las simulaciones de forma muy significativa y manteniendo un nivel de precisión aceptable para esta aplicación. |
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