Diseño e Implementación de un Bandgap modular con múltiples salidas en una tecnología CMOS 180nm
[ES] Los bandgaps son componentes imprescindibles en el desarrollo de circuitos integrados, ya que permiten obtener referencias de tensión compensadas en temperatura (y en ocasiones en variaciones del proceso) que se emplean ampliamente en muchas aplicaciones tales como convertidores AD y DA. Habitu...
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| Tipo de recurso: | tesis de maestría |
| Fecha de publicación: | 2024 |
| País: | España |
| Institución: | Universitat Politècnica de València (UPV) |
| Repositorio: | RiuNet. Repositorio Institucional de la Universitat Politécnica de Valéncia |
| Idioma: | español |
| OAI Identifier: | oai:riunet.upv.es:10251/208764 |
| Acceso en línea: | https://riunet.upv.es/handle/10251/208764 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | CMOS Bandgaps Microelectronica Microelectronics TECNOLOGIA ELECTRONICA Máster Universitario en Ingeniería de Sistemas Electrónicos-Màster Universitari en Enginyeria de Sistemes Electrònics |
| Sumario: | [ES] Los bandgaps son componentes imprescindibles en el desarrollo de circuitos integrados, ya que permiten obtener referencias de tensión compensadas en temperatura (y en ocasiones en variaciones del proceso) que se emplean ampliamente en muchas aplicaciones tales como convertidores AD y DA. Habitualmente su diseño se basa en el uso de transistores bipolares parásitos, sin embargo esto presenta ciertas contrapartidas tales como una mayor influencia del ruido de sustrato. En este trabajo se pretende emplear únicamente transistores CMOS en inversión débil, cuyo comportamiento es muy similar a los bipolares y permiten una mejor integración con el resto de los elementos del diseño. Por otra parte, se plantea otro objetivo novedoso, que consiste en el desarrollo del bandgap de una forma modular que permita la creación de múltiples salidas y que dichas salidas tengan la capacidad de soportar un mínimo de carga necesario para su conexión con otros elementos del diseño. Las especificaciones general del Bandgap deberán de ser similares a las de los disponibles comercialmente (en librerías IP) para una tecnología CMOS típica de 180nm |
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