Análisis, modelado y reducción de interferencias electromagnéticas en convertidores de potencia con semiconductores de alta velocidad
Analizar las interferencias electromagnéticas producidas a altas frecuencias de conmutación por un determinado convertidor de potencia comercial de topología resonante LLC basado en dispositivos MOSFETs de banda ancha prohibida de SiC (Carburo de Silicio) y GaN (Nitruro de Galio) TIDM, y establecer...
| Autor: | |
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| Tipo de recurso: | tesis de maestría |
| Fecha de publicación: | 2022 |
| País: | España |
| Institución: | Universidad del País Vasco |
| Repositorio: | Addi. Archivo Digital para la Docencia y la Investigación |
| OAI Identifier: | oai:addi.ehu.eus:10810/59751 |
| Acceso en línea: | http://hdl.handle.net/10810/59751 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | vehículo eléctrico cargadores interferencias electromagnéticas |
| Sumario: | Analizar las interferencias electromagnéticas producidas a altas frecuencias de conmutación por un determinado convertidor de potencia comercial de topología resonante LLC basado en dispositivos MOSFETs de banda ancha prohibida de SiC (Carburo de Silicio) y GaN (Nitruro de Galio) TIDM, y establecer un modelo que permita predecir y mitigar tales interferencias para cumplir con la normativa vigente. |
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