Estudio de la conmutación resistiva a partir de la caracterización eléctrica de estructuras MIM
En los últimos años, la búsqueda de sustitutos para la actual tecnología CMOS en la que se basan la mayoría de memorias de estado sólido, como las flash, se ha incrementado. Ello ha causado que fenómenos como la conmutación resistiva (resistive switching o RS) se estudien cada vez más, ya que pueden...
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| Tipo de recurso: | tesis doctoral |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2022 |
| País: | España |
| Institución: | Universidad de Valladolid |
| Repositorio: | UVaDOC. Repositorio Documental de la Universidad de Valladolid |
| OAI Identifier: | oai:uvadoc.uva.es:10324/52426 |
| Acceso en línea: | https://doi.org/10.35376/10324/52426 https://uvadoc.uva.es/handle/10324/52426 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | RRAM Conmutación resistiva Memristor, óxido de hafnio, caracterización eléctrica Óxido de hafnio Caracterización eléctrica 22 Física |
| Sumario: | En los últimos años, la búsqueda de sustitutos para la actual tecnología CMOS en la que se basan la mayoría de memorias de estado sólido, como las flash, se ha incrementado. Ello ha causado que fenómenos como la conmutación resistiva (resistive switching o RS) se estudien cada vez más, ya que pueden ser la base de una nueva familia de dispositivos de almacenamiento emergentes, entre los cuales están las memorias RAM resistivas, denominadas ReRAMs o RRAMs. Esta tesis se centra principalmente en la caracterización de estructuras metal-aislante-metal (MIM) que presentan conmutación resistiva, cuyo aislante está constituido por un óxido de metal de transición. El trabajo que aquí se presenta estudia en detalle la conmutación resistiva en estructuras metal-aislante-metal, con especial interés (aunque no únicamente) en el estudio de dispositivos cuyo dieléctrico es óxido de hafnio, con el objetivo de caracterizar eléctricamente el material |
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