Influència dels tractaments superficials en les característiques elèctriques d'estructures planars sobre GaAs semi-aïllant

[cat] En aquest treball s'estudien els corrents de fuites existents entre els dispositius MESFET veïns als circuits integrats de GaAs i l'efecte que sobre aquests corrents tenen els diferents tractaments superficials a què se sotmeten. S'ha fet una caracterització estructural i elèctr...

ver descrição completa

Detalhes bibliográficos
Autor: Gual i Obradors, Jordi
Formato: tesis doctoral
Estado:Versión publicada
Fecha de publicación:1992
País:España
Recursos:Universidad de Barcelona
Repositorio:Dipòsit Digital de la UB
OAI Identifier:oai:diposit.ub.edu:2445/212305
Acesso em linha:https://hdl.handle.net/2445/212305
http://hdl.handle.net/10803/691247
Access Level:acceso abierto
Palavra-chave:Semiconductors
Aïllament elèctric
Electric insulation
id ES_5996c8d2758155f4631e147adffbbee6
oai_identifier_str oai:diposit.ub.edu:2445/212305
network_acronym_str ES
network_name_str España
repository_id_str
spelling Influència dels tractaments superficials en les característiques elèctriques d'estructures planars sobre GaAs semi-aïllantGual i Obradors, JordiSemiconductorsAïllament elèctricElectric insulation[cat] En aquest treball s'estudien els corrents de fuites existents entre els dispositius MESFET veïns als circuits integrats de GaAs i l'efecte que sobre aquests corrents tenen els diferents tractaments superficials a què se sotmeten. S'ha fet una caracterització estructural i elèctrica de les mostres. S'ha elaborat un model basat en la consideració de processos de generació-recombinació no-lineals (ionització per impacte de les impureses presents al material). S'ha derivat un model simplificat que permet obtenir expressions analítiques per a les característiques elèctriques. El conjunt de l'estudi ens ha permès concloure que el procés de passivació òptim seria aquell que eliminant l'òxid nadiu no introdueix pertorbacions considerables a la zona més propera a la superfície del material.[spa] En este trabajo se estudian las corrientes de fugas existentes entre los dispositivos MESFET vecinos en los circuitos integrados de GaAs y el efecto que sobre estas corrientes tienen los diferentes tratamientos superficiales a los que se someten. Se ha llevado a término una caracterización estructural y eléctrica de las muestras. Se ha elaborado un modelo basado en la consideración de procesos de generación-recombinación no-lineales (ionización por impacto de las impurezas presentes en el material). Se ha derivado un modelo simplificado que permite la obtención de expresiones analíticas para las características eléctricas. El conjunto del estudio nos ha permitido concluir que el proceso de pasivación óptimo sería aquel que, eliminando el óxido nativo, no introduce perturbaciones considerables en la zona más cercana a la superficie del material.Universitat de BarcelonaMorante i Lleonart, Joan RamonUniversitat de Barcelona. Departament de Física Aplicada i Electrònica1992info:eu-repo/semantics/doctoralThesisinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionapplication/pdfhttps://hdl.handle.net/2445/212305http://hdl.handle.net/10803/691247Tesis Doctorals - Departament - Física Aplicada i Electrònicareponame:Dipòsit Digital de la UBinstname:Universidad de BarcelonaCataláncc by-nc-sa (c) Gual i Obradors, Jordi, 2024http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/3.0/es/info:eu-repo/semantics/openAccessoai:diposit.ub.edu:2445/2123052026-05-27T06:46:51Z
dc.title.none.fl_str_mv Influència dels tractaments superficials en les característiques elèctriques d'estructures planars sobre GaAs semi-aïllant
title Influència dels tractaments superficials en les característiques elèctriques d'estructures planars sobre GaAs semi-aïllant
spellingShingle Influència dels tractaments superficials en les característiques elèctriques d'estructures planars sobre GaAs semi-aïllant
Gual i Obradors, Jordi
Semiconductors
Aïllament elèctric
Electric insulation
title_short Influència dels tractaments superficials en les característiques elèctriques d'estructures planars sobre GaAs semi-aïllant
title_full Influència dels tractaments superficials en les característiques elèctriques d'estructures planars sobre GaAs semi-aïllant
title_fullStr Influència dels tractaments superficials en les característiques elèctriques d'estructures planars sobre GaAs semi-aïllant
title_full_unstemmed Influència dels tractaments superficials en les característiques elèctriques d'estructures planars sobre GaAs semi-aïllant
title_sort Influència dels tractaments superficials en les característiques elèctriques d'estructures planars sobre GaAs semi-aïllant
dc.creator.none.fl_str_mv Gual i Obradors, Jordi
author Gual i Obradors, Jordi
author_facet Gual i Obradors, Jordi
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Morante i Lleonart, Joan Ramon
Universitat de Barcelona. Departament de Física Aplicada i Electrònica
dc.subject.none.fl_str_mv Semiconductors
Aïllament elèctric
Electric insulation
topic Semiconductors
Aïllament elèctric
Electric insulation
description [cat] En aquest treball s'estudien els corrents de fuites existents entre els dispositius MESFET veïns als circuits integrats de GaAs i l'efecte que sobre aquests corrents tenen els diferents tractaments superficials a què se sotmeten. S'ha fet una caracterització estructural i elèctrica de les mostres. S'ha elaborat un model basat en la consideració de processos de generació-recombinació no-lineals (ionització per impacte de les impureses presents al material). S'ha derivat un model simplificat que permet obtenir expressions analítiques per a les característiques elèctriques. El conjunt de l'estudi ens ha permès concloure que el procés de passivació òptim seria aquell que eliminant l'òxid nadiu no introdueix pertorbacions considerables a la zona més propera a la superfície del material.
publishDate 1992
dc.date.none.fl_str_mv 1992
dc.type.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
format doctoralThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.none.fl_str_mv https://hdl.handle.net/2445/212305
http://hdl.handle.net/10803/691247
url https://hdl.handle.net/2445/212305
http://hdl.handle.net/10803/691247
dc.language.none.fl_str_mv Catalán
language_invalid_str_mv Catalán
dc.rights.none.fl_str_mv cc by-nc-sa (c) Gual i Obradors, Jordi, 2024
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/3.0/es/
info:eu-repo/semantics/openAccess
rights_invalid_str_mv cc by-nc-sa (c) Gual i Obradors, Jordi, 2024
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/3.0/es/
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Universitat de Barcelona
publisher.none.fl_str_mv Universitat de Barcelona
dc.source.none.fl_str_mv Tesis Doctorals - Departament - Física Aplicada i Electrònica
reponame:Dipòsit Digital de la UB
instname:Universidad de Barcelona
instname_str Universidad de Barcelona
reponame_str Dipòsit Digital de la UB
collection Dipòsit Digital de la UB
repository.name.fl_str_mv
repository.mail.fl_str_mv
_version_ 1869408634699513856
score 15.198674

Registos relacionados