Influència dels tractaments superficials en les característiques elèctriques d'estructures planars sobre GaAs semi-aïllant
[cat] En aquest treball s'estudien els corrents de fuites existents entre els dispositius MESFET veïns als circuits integrats de GaAs i l'efecte que sobre aquests corrents tenen els diferents tractaments superficials a què se sotmeten. S'ha fet una caracterització estructural i elèctr...
| Autor: | |
|---|---|
| Tipo de recurso: | tesis doctoral |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 1992 |
| País: | España |
| Institución: | Universidad de Barcelona |
| Repositorio: | Dipòsit Digital de la UB |
| OAI Identifier: | oai:diposit.ub.edu:2445/212305 |
| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/2445/212305 http://hdl.handle.net/10803/691247 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Semiconductors Aïllament elèctric Electric insulation |
| Sumario: | [cat] En aquest treball s'estudien els corrents de fuites existents entre els dispositius MESFET veïns als circuits integrats de GaAs i l'efecte que sobre aquests corrents tenen els diferents tractaments superficials a què se sotmeten. S'ha fet una caracterització estructural i elèctrica de les mostres. S'ha elaborat un model basat en la consideració de processos de generació-recombinació no-lineals (ionització per impacte de les impureses presents al material). S'ha derivat un model simplificat que permet obtenir expressions analítiques per a les característiques elèctriques. El conjunt de l'estudi ens ha permès concloure que el procés de passivació òptim seria aquell que eliminant l'òxid nadiu no introdueix pertorbacions considerables a la zona més propera a la superfície del material. |
|---|