N-type doping of SiC-passivated Ge by pulsed laser melting towards the development of interdigitated back contact thermophotovoltaic devices

Detalles Bibliográficos
Autores:	Jiménez Pagán, Alba, Napolitani, Enrico, Datas Medina, Alejandro, Martín García, Isidro\|\|\|0000-0001-8833-9057, López Rodríguez, Gema\|\|\|0000-0003-4806-5180, Cabrero Piris, Mariona, Sgarbossa, Francesco, Milazzo, Ruggero, Carturan, Sara Maria, De Salvador, Davide, López García, Iñaki, Ryu, Yu Kyoung, Martinez Rodrigo, Javier, del Cañizo Nadal, Carlos
Tipo de recurso:	artículo
Fecha de publicación:	2022
País:	España
Institución:	Universitat Politècnica de Catalunya (UPC)
Repositorio:	UPCommons. Portal del coneixement obert de la UPC
Idioma:	inglés
OAI Identifier:	oai:upcommons.upc.edu:2117/367008
Acceso en línea:	https://hdl.handle.net/2117/367008 https://dx.doi.org/10.1016/j.solmat.2021.111463
Access Level:	acceso abierto
Palabra clave:	Photovoltaic power generation Electronics--Materials Germanium N-type doping Pulsed laser melting Laser doping TPV IBC cells Energia solar fotovoltaica Electrònica--Materials Àrees temàtiques de la UPC::Energies::Energia solar fotovoltaica Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Aspectes econòmics

Descripción
Sumario:	© 2022 Elsevier. This manuscript version is made available under the CC-BY-NC-ND 4.0 license http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/