Strong subbandgap photoconductivity in GaP implanted with Ti

9 pags., 6 figs., 1 tab.

Detalles Bibliográficos
Autores:	Olea, Javier, Prado, Álvaro del, García-Hemme, E., García-Hernansanz, R., Montero, D., González-Díaz, Germán, Gonzalo de los Reyes, J., López, E., Siegel, Jan, López, Esther
Tipo de recurso:	artículo
Estado:	Versión aceptada para publicación
Fecha de publicación:	2017
País:	España
Institución:	Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC)
Repositorio:	DIGITAL.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC
OAI Identifier:	oai:digital.csic.es:10261/193298
Acceso en línea:	http://hdl.handle.net/10261/193298
Access Level:	acceso abierto
Palabra clave:	Gallium phosphide High efficiency Intermediate band Pulsed laser melting Supersaturated Titanium

Descripción
Sumario:	9 pags., 6 figs., 1 tab.