Granada-UGR-VCMTCF model engineering

In this presentation file, the results of a deeper study on the UGR-VCMTCF RRAM model and the modifications done to adjust better to real device's characteristics are given.

Detalles Bibliográficos
Autores: Mahboubi, Vahab, Manich Bou, Salvador|||0000-0001-5265-1209, Rodríguez Montañés, Rosa|||0000-0001-6231-0862, Arumi Delgado, Daniel|||0000-0002-6638-7485, Gómez Pau, Álvaro|||0000-0002-7774-1662, Calomarde Palomino, Antonio|||0000-0002-4459-8505
Tipo de recurso: informe técnico
Fecha de publicación:2024
País:España
Institución:Universitat Politècnica de Catalunya (UPC)
Repositorio:UPCommons. Portal del coneixement obert de la UPC
Idioma:inglés
OAI Identifier:oai:upcommons.upc.edu:2117/407664
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/2117/407664
Access Level:acceso abierto
Palabra clave:Electronic systems
RRAM
Nominal model adjustment
Cycle-to-cycle Variability
Stochastic behavior
Switching parameters
Sistemes electrònics
Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica
Descripción
Sumario:In this presentation file, the results of a deeper study on the UGR-VCMTCF RRAM model and the modifications done to adjust better to real device's characteristics are given.

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