Crecimiento por MBE, fabricación y caracterización de láseres de AlGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs (111B) para emisión óptica menor a 1 nanometro
| Autor: | |
|---|---|
| Formato: | tesis doctoral |
| Fecha de publicación: | 1999 |
| País: | España |
| Recursos: | Universidad Politécnica de Madrid |
| Repositorio: | Archivo Digital UPM |
| OAI Identifier: | oai:oa.upm.es:728 |
| Acesso em linha: | https://oa.upm.es/728/ |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palavra-chave: | DISPOSITIVOS LASER LASERES DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES TECNOLOGIA ELECTRONICA CIENCIAS TECNOLOGICAS OPTICA FISICA |
| Descrição não disponível. |