Crecimiento por MBE, fabricación y caracterización de láseres de AlGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs (111B) para emisión óptica menor a 1 nanometro
| Autor: | |
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| Tipo de recurso: | tesis doctoral |
| Fecha de publicación: | 1999 |
| País: | España |
| Institución: | Universidad Politécnica de Madrid |
| Repositorio: | Archivo Digital UPM |
| OAI Identifier: | oai:oa.upm.es:728 |
| Acceso en línea: | https://oa.upm.es/728/ |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | DISPOSITIVOS LASER LASERES DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES TECNOLOGIA ELECTRONICA CIENCIAS TECNOLOGICAS OPTICA FISICA |
| Descripción no disponible. |