Band bending driven evolution of the bound electron states at the interface between a three-dimensional topological insulator and a three-dimensional normal insulator

Under the terms of the Creative Commons Attribution License 3.0 (CC-BY).

Detalhes bibliográficos
Autores: Men'shov, V. N., Tugushev, V. V., Eremeev, Sergey V., Echenique, Pedro M., Chulkov, Eugene V.
Formato: artículo
Estado:Versión publicada
Fecha de publicación:2015
País:España
Recursos:Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC)
Repositorio:DIGITAL.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC
OAI Identifier:oai:digital.csic.es:10261/136310
Acesso em linha:http://hdl.handle.net/10261/136310
Access Level:acceso abierto
Descrição
Resumo:Under the terms of the Creative Commons Attribution License 3.0 (CC-BY).

Registos relacionados