Band bending driven evolution of the bound electron states at the interface between a three-dimensional topological insulator and a three-dimensional normal insulator
Under the terms of the Creative Commons Attribution License 3.0 (CC-BY).
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| Tipo de recurso: | artículo |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2015 |
| País: | España |
| Institución: | Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC) |
| Repositorio: | DIGITAL.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC |
| OAI Identifier: | oai:digital.csic.es:10261/136310 |
| Acceso en línea: | http://hdl.handle.net/10261/136310 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Sumario: | Under the terms of the Creative Commons Attribution License 3.0 (CC-BY). |
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