Advanced AlGaN/GaN HEMT technology, design, fabrication and characterization
Premi Extraordinari de Doctorat 2015 (promoció del curs 2012-2013), àmbit Enginyeria de les TIC
| Autor: | |
|---|---|
| Tipo de recurso: | tesis doctoral |
| Fecha de publicación: | 2013 |
| País: | España |
| Institución: | Universitat Politècnica de Catalunya (UPC) |
| Repositorio: | UPCommons. Portal del coneixement obert de la UPC |
| Idioma: | inglés |
| OAI Identifier: | oai:upcommons.upc.edu:2117/95072 |
| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/2117/95072 https://dx.doi.org/10.5821/dissertation-2117-95072 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Microelectrònica Enginyeria elèctrica Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica |
| Sumario: | Premi Extraordinari de Doctorat 2015 (promoció del curs 2012-2013), àmbit Enginyeria de les TIC |
|---|