Modelización de un DHBT Tipo-I InP/InGaAs mediante el simulador numérico ATLAS
Català: El present treball es desenvolupa entorn de la modelització d'un transistor bipolar de doble heterounió (DHBT). En concret, s'estudia un dispositiu Tipus-I basat en la utilització de materials semiconductors III-V com són el InP (fosfur d?indi) i InGaAs (aliatge ternari d'indi...
| Autor: | |
|---|---|
| Formato: | tesis de maestría |
| Fecha de publicación: | 2010 |
| País: | España |
| Recursos: | Universitat Politècnica de Catalunya (UPC) |
| Repositorio: | UPCommons. Portal del coneixement obert de la UPC |
| Idioma: | español |
| OAI Identifier: | oai:upcommons.upc.edu:2099.1/11722 |
| Acesso em linha: | https://hdl.handle.net/2099.1/11722 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palavra-chave: | Bipolar transistors Computer simulation Electronic engineering Semiconductors Ingeniería electrónica Semiconductores Simulación por ordenador Transistors bipolars Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Components electrònics::Transistors |
| Resumo: | Català: El present treball es desenvolupa entorn de la modelització d'un transistor bipolar de doble heterounió (DHBT). En concret, s'estudia un dispositiu Tipus-I basat en la utilització de materials semiconductors III-V com són el InP (fosfur d?indi) i InGaAs (aliatge ternari d'indi, gal-li i arseni). Per dur a terme totes les simulacions d'aquesta tesi, s'ha fet ús del simulador numèric ATLAS de la companyia SILVACO. Amb l'objectiu d'avaluar la bondat del model, es realitza una comparació amb valors experimentals i amb resultats de simulacions realitzades amb l'eina TCAD DESSIS de Synopsys del comportament en contínua del dispositiu. S'analitzen el models i paràmetres de transport i les propietats físiques del dispositiu estudiant i discutint els models disponibles a la literatura i la forma d'implementar-los al simulador. Finalment, es procedeix a analitzar el nivell d'influència de certs factors (paràmetres de transport com la movilitat de portadors o propietats físiques com per exemple el fenomen del band gap narrowing) sobre el comportament en contínua del dispositiu. Per últim, s'estudia l'impacte de l'escalat de diferents regions. |
|---|