A study of integrated signal and power transfer for compact isolated SiC MOSFET gate-drivers

Spanish Government, Innovation Development and Research Office (MEC) [ENE2016-77919, PID2019-111051RB-100]; European Union through ERFD Structural Funds (FEDER); Regional Government of the Principality of Asturias [FC-GRUPIN-IDI/2018/000241, Severo Ochoa grant BP16-133]; European Union’s H2020 Resea...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autores: García García, Jorge|||0000-0003-1614-0078, Saeed Hazkial Gerges, Sarah|||0000-0001-8367-5035, Gurpinar, E., Castellazzi, A.
Tipo de recurso: artículo
Fecha de publicación:2021
País:España
Institución:Universidad de Oviedo (UNIOVI)
Repositorio:RUO. Repositorio Institucional de la Universidad de Oviedo
Idioma:inglés
OAI Identifier:oai:digibuo.uniovi.es:10651/59923
Acceso en línea:http://hdl.handle.net/10651/59923
https://dx.doi.org/10.3390/electronics10020159
Access Level:acceso abierto
Descripción
Sumario:Spanish Government, Innovation Development and Research Office (MEC) [ENE2016-77919, PID2019-111051RB-100]; European Union through ERFD Structural Funds (FEDER); Regional Government of the Principality of Asturias [FC-GRUPIN-IDI/2018/000241, Severo Ochoa grant BP16-133]; European Union’s H2020 Research and Innovation program [grant agreement 864459], Project “Cost Effective Technological Developments For Accelerating Energy Transition (TALENT)”

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