Un nou encapsulat multixip per a acceleròmetres piezoresistius
Aquest treball descriu el desenvolupament d'un sistema Smart Sensor per a acceleròmetres piezoresistius emprant la tecnologia de mòduls multixip de tipus D (MCM-D). <br/>En el camp dels Smarts Sensors existeixen dues aproximacions bàsiques: l'aproximació monolítica que integra el sen...
| Autor: | |
|---|---|
| Tipo de recurso: | tesis doctoral |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2003 |
| País: | España |
| Institución: | CBUC, CESCA |
| Repositorio: | TDR. Tesis Doctorales en Red |
| OAI Identifier: | oai:www.tdx.cat:10803/5339 |
| Acceso en línea: | http://www.tdx.cat/TDX-1114103-142512 http://hdl.handle.net/10803/5339 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Acceleròmetres Smart MEMS MCM-D Tecnologies 621.3 |
| Sumario: | Aquest treball descriu el desenvolupament d'un sistema Smart Sensor per a acceleròmetres piezoresistius emprant la tecnologia de mòduls multixip de tipus D (MCM-D). <br/>En el camp dels Smarts Sensors existeixen dues aproximacions bàsiques: l'aproximació monolítica que integra el sensor i els circuits en el mateix xip, i la versió multixip, que integra de forma híbrida tant el sensor com els circuits, fabricats per separat. Les dues tecnologies emprades en aquest treball han estat, la dels acceleròmetres piezoresistius en oblies BESOI i la dels mòduls multixip, silici sobre silici, mitjançant la tècnica de muntatge flip-chip. Aquesta tècnica proporciona a l'encapsulat de sensors nivell d'integració més elevat, a la vegada que redueix els problemes termo-mecànics pel fet d'emprar un substrat de silici.<br/>En aquest estudi s'ha treballat en el desenvolupament d'aquest Smart Sensor per tal, principalment, d'aconseguir un encapsulat robust i lliure d'estrès. En aquest sentit, s'ha dut a terme el disseny d'una cavitat hermètica per a la protecció de les parts mòbils de l'acceleròmetre. L'hermeticitat s'obté mitjançant la pasta de soldadura que s'aplica en el mateix moment en que es fan les connexions elèctriques o solder bumps. Aquest fet ha requerit d'una modificació en la tecnologia de pads del sensor. Per altra banda, s'han dut a terme una sèrie de simulacions per elements finits per tal d'avaluar en les etapes de disseny l'estrès que podia aportar l'encapsulat a aquests dispositius sensibles a esforços mecànics. Els resultats de les simulacions demostren que si bé es dóna un cert grau d'estrès, aquest no arriba a perjudicar el comportament del sensor.<br/>Les caracteritzacions tant elèctriques com mecàniques realitzades a l'encapsulat multixip, demostren que aquest encapsulat no modifica els paràmetres elèctrics més importants, com ara la sensibilitat o la tensió d'offset. La caracterització dinàmica demostra, però, que l'encapsulat multixip afegeix un més elevat grau d'esmorteïment modificant així la resposta del sensor. Aquesta variació es tradueix en una disminució de la freqüència de ressonància i del guany del sensor a aquesta freqüència. Aquest fet, en aplicacions DC, és una característica apreciada doncs evita una eventual ruptura del sensor. |
|---|